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VMOS场效应管:VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不光继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（较高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得普遍应用。增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0。惠州大23场效应管哪家好

场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强；（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。中山中低功率场效应管价格盟科MK3400参数是可以替代万代AO3400的参数。

场效应管注意事项:用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45～75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。在要求输入阻抗较高的场合使用时，必须采取防潮措施，以免由于温度影响使场效应管的输入电阻降低。如果用四引线的场效应管，其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。

场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。低压mos管选择深圳盟科电子。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了普遍的应用。场效应管当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。广州开关场效应管

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场效应管的历史:场效应晶体管的点项由朱利叶斯·埃德加·利林费尔德于1926年以及奥斯卡·海尔于1934年分别提出。在此17年的权限期结束后不久，威廉姆·肖克利的团队于1947年在贝尔实验室观察到晶体管效应并阐释了机理。随后，在20世纪80年代，半导体器件(即结型场效应晶体管)才逐渐发展起来。1950年，日本工程师西泽润一和渡边发明了点种结型场效应管——静电感应晶体管 (SIT)。静电感应晶体管是一种短沟道结型场效应管。1959年，由圣虎达温·卡恩和马丁·阿塔拉发明的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)在很大程度上取代了结型场效应管，并对数字电子发展产生了深远的影响。惠州大23场效应管哪家好

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