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二极管种类:PIN二极管(P-intrinsic-N Diode)PN之间一层高电阻的半导体层,使少数载子的积蓄效果增加,逆回复时间也较长。利用顺向偏压时高频率讯号较容易通过的性质,用于天线的频带切换以及高频率开关。耿效应二极管应用于低功率微波振荡器。交流二极管(DIAC)、突波保护二极管、双向触发二极管当施加超过规定电压(Break Over电压,VBO)的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用于电路的突波保护上。另,虽被称为二极管,实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。红外发光二极管是一种能发出红外线的二极管。金华高压二极管供应商
正向偏压(Forward Bias)二极管的阳极侧施加正电压,阴极侧施加负电压,这样就称为正向偏置,所加电压为顺向偏压。如此N型半导体被注入电子,P型半导体被注入电洞。这样一来,让多数载流子过剩,空乏层缩小、消灭,正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看,电子从阴极流向阳极(电流则是由阳极流向阴极)。在这个区域,电流随著偏压的增加也急遽地增加。伴随著电子与电洞的再结合,两者所带有的能量转变为热(和光)的形式被放出。能让正向电流通过的必要电压被称为开启电压,特定正向电流下二极管两端的电压称为正向压降。金华高压二极管供应商二极管初被发明时通常被称作“整流器”。
二极管真空管:1873年,弗雷德里克·格思里(Frederick Guthrie)发现了热离子二极管的基本操作原理。他发现了当白热化的接地金属接近带正电的验电器时,验电器的电会被引走;然而带负电的验电器则不会发生类似情况。这表明了电流只能向一个方向流动。1880年2月13日,托马斯·爱迪生也发现了这一规律。当时,爱迪生正在研究为什么他的碳丝灯泡的灯丝几乎总是在正极端烧断。他有一个密封了金属板的特殊玻璃外壳灯泡。利用这个装置,他证实,发光的灯丝会有一种无形的电流穿过真空与金属板连接,但只有当板被连接到正电源时才会发生。爱迪生随即发明了一种电路,他的特殊灯泡有效地取代了直流电压表中的电阻。在1884年,爱迪生被授予了此项发明的。由于当时这种装置实际上并不能看出实用价值,这项更多地是为了防止别人声称早发现了这一所谓“爱迪生效应”。20年后,约翰·弗莱明(爱迪生前雇员)发现了这一效应的实用价值,它可以用来制作精确检波器。1904年11月16日,个真正的热离子二极管——弗莱明管。
面接触式二极管:面接触式PN结二极管是由一块半导体晶体制成的。不同的掺杂工艺可以使同一个半导体(如本征硅)的一端成为一个包含负极性载流子(电子)的区域,称作N型半导体;另一端成为一个包含正极性载流子(空穴)的区域,称作P型半导体。两种材料在一起时,电子会从N型一侧流向P型一侧。这一区域电子和电洞相互抵销,造成中间区域载流子不足,形成“空乏层”。在空乏层内部存在“内电场”:N型侧带正电,P型侧带负电。两块区域的交界处为PN结,晶体允许电子(外部来看)从N型半导体一端,流向P型半导体一端,但是不能反向流动。二极管在20世纪20年代由热离子二极管所取代。
固态二极管1874年,德国物理学家卡尔·布劳恩发现了晶体的“单向传导”的能力,并在1899年将晶体整流器申请了。氧化亚铜和硒整流器则是在1930年代为了供电应用而发明的。印度人贾格迪什·钱德拉·博斯在1894年成为了个使用晶体检测无线电波的科学家。他也在厘米和毫米级别对微波进行了研究。1903年,格林里夫·惠特勒·皮卡德(Greenleaf Whittier Pickard)发明了硅晶检波器,并在1906年11月20日注册了。也正是因为格林里夫,使得晶体检波器发展成了可实用于无线电报的装置。其他实验者尝试了多种其他物质,其中普遍使用的是矿物方铅矿(硫化铅),因它价格便宜且容易获取。在这些早期的晶体收音机集的晶体检波器包括一个可调节导线的点接触设备(即所谓的“猫须”)。可以通过手动调节晶体表面上的导线,以获得的信号。发光二极管与霓虹灯相比除了寿命长,还有节能、驱动和控制简易、无需维护等特点。江苏超快恢复二极管厂家供应
红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚,通常长引脚为正极,短引脚为负极。金华高压二极管供应商
二极管小实验在电子电路中,将二极管的正极(P区)接在高电位端,负极(N区)接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。将二极管的正极(P区)接在低电位端,负极(N区)接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,此时二极管被击穿,这就是二极管的反向击穿特性。金华高压二极管供应商
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