提取洁净车间设计

危险的厂房和周围的建筑物、构筑物应该保持一定的防火间距。例如，与民用建筑的防火间距不应小于25米，与重要公共建筑的防火间距不应小于50米，与明火或散发火花的地点的防火间距不应小于30米。危险的厂房比较好采用矩形的平面布置，与主导风向垂直或夹角不小于45度，以便有效利用穿堂风，将有害气体吹散。在山区，宜将其布置在迎风山坡一面且通风良好的地方。防爆厂房应该单独设置。如果必须与非防爆厂房相邻，只能在一面相邻，并且在两者之间用防火墙或防爆墙隔开。相邻的两个厂房之间不应该直接相通，以避免冲击波的影响。危险设备应尽量避开厂房的梁、柱等承重结构。防爆厂房内的高大设备应该布置在厂房的中间，矮小设备应该靠近外墙门窗布置，以免挡风。危险的厂房和库房比较好采用单层建筑。厂房设计商家欢迎咨询成都博一医药设计有限公司。提取洁净车间设计

医药产业被称为衰落的朝阳产业，是我国乃至全球发展快的产业之一。有统计表明，在过去5年，我国医药工业总产值年均增长率达23%，远远超过GDP的增速。随着经济的快速发展，人民收入水平的提高以及健康意识的增强，医药产业仍有着广阔的发展空间，特别是自我国建立医疗保险制度以来，由于政策的推动，整个医药市场的发展速度也越来越快。我国虽然是世界制药大国，但生产技术仍然相对落后，医药工业厂房的设计水平参差不齐。目前，我国医药生产厂房普遍是根据不同规模、不同产量的药品生产要求量身定制。然而，一些国外工程设计公司已经初步形成模块化、标准化的设计理念，采用从整体到细节的设计模式，先从宏观方向把握整个园区到每个单体的体量，再依据各工艺需求，设计与其匹配的单元化建筑，可以高效、高质量地完成业主的设计任务。成都IVD洁净厂房设计厂房设计中的平面布局应该如何规划？

静电的力学现象可导致筛孔被粉尘堵塞，纺纱线纷乱，印刷品深浅不均和制品污染；静电事故的产生主要在于静电的产生和积累，而气流的流动，气流和管道、风口、过滤器等摩擦，人体和衣服的摩擦，衣服之间的摩擦，工艺上的研磨，喷涂、射流、洗涤、搅拌、粘合和剥离等操作，所有选些都可能产生静电，在一般情况下，越是电导率小的非导体（绝缘体），由于电荷产生后不易流动，因此表现为越容易带电。静电问题所以在洁净室中特别严重，是因为不但在洁净室中具备前述产生静电的多种工艺因素，而且因为洁净室中的许多材料如塑料地面、墙面，尼龙、的确良等工作服都有很高的电阻率，都极易产生静电和集聚静电，在洁净室的静电灾害未被重视以前，这些材料料是被采用的。

洁净室内的新鲜空气量应取下列二项中的最大值：1.补偿室内排风量和保持室内正压值所需新鲜空气量之和。这意味着在洁净室内，需要通过补充新鲜空气来弥补排风量和保持正压值所需的空气量。2.保证供给洁净室内每人每小时的新鲜空气量不小于40m3。这是为了确保洁净室内的每个人都能得到足够的新鲜空气供应，以维持室内空气的质量和清洁度。此外，洁净室内的吸尘系统也需要注意。一般情况下，洁净区的清扫宜采用移动式高效真空吸尘器，而对于1级到5级的单向流洁净室，则宜设置集中式真空吸尘系统。吸尘系统的管道应暗敷，吸尘口应加盖封堵，以确保洁净室内的空气质量。此外，洁净室与周围空间之间必须维持一定的压差，并根据生产工艺要求决定维持正压差或负压差。不同等级的洁净室以及洁净区与非洁净区之间的压差应不小于5Pa，洁净区与室外的压差应不小于10Pa。洁净室维持不同的压差值所需的压差风量，可以根据洁净室的特点，采用缝隙法或换气次数法来确定。***，送风、回风和排风系统的启闭应联锁。正压洁净室的联锁程序为先启动送风机，再启动回风机和排风机；关闭时联锁程序应相反。负压洁净室的联锁程序与正压洁净室相反。厂房设计欢迎联系成都博一医药设计有限公司。

药厂关键工作间压差控制设计：洗烘间设计方案，洗烘间选用新回风空调机组和排风机组。新回风空调机组新风口连接前端全新风机组，机组回风口和送风口分别连接室内回风口和送风口。排风机组连接室内排风口。洗烘间内的清洗机和隧道烘箱设备排风与室内排风管相连，通过排风机组排至室外。房间压差设计，新回风空调机组通过新风定风量阀调节系统所需的新风量。新回风空调机组送风机以送风风压为目标进行恒风压调节，同时调节室内送风定风量阀以满足室内送风需求。排风机组排风机以排风风压为目标进行恒风压调节，同时调节室内排风定风量阀以满足室内排风要求。室内回风变风量阀根据室内压差对系统回风进行调节，做余风量控制，保证房间压差稳定可控。基因工程厂房设计推荐成都博一医药设计有限公司。成都细胞治疗工程设计

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洁净室中的温湿度控制洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定，但在满足工艺要求的条件下，应考虑到人的舒适度感。随着空气洁净度要求的提高，出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。具体工艺对温度的要求以后还要列举，但作为总的原则看，由于加工精度越来越精细，所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中，作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。直径100um的硅片，温度上升1度，就引起了0.24um线性膨胀，所以必须有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗以后，对产品将有污染，特别是怕钠的半导体车间，这种车间温度不宜超过25度，湿度过高产生的问题更多。相对湿度超过55%时，冷却水管壁上会结露，如果发生在精密装置或电路中，就会引起各种事故。相对湿度在50%时易生锈。此外，湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面难以。相对湿度越高,粘附的越难去掉，但当相对湿度低于30%时，又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面，同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产比较好湿度范围为35—45%。提取洁净车间设计