低真空闸阀UMC

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，这里介绍一下阀门控制器-主控制器（Valve Controller Introduction）1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸-本地控制器1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸 -遥控器1英寸和2英寸 / 3英寸和4英寸。1，开放/关闭速度LCD显示；2，当阀门或泵错误时，灯点亮：3，自动关闭功能-防止泵跳闸中的逆流；4，有阀门开关位置的信号输出信号；5，锁定功能-本地/遥控器在解锁后进行快速操作；6，无噪音，功耗低；7，历史管理-打开/关闭/泵关闭等；8，UPS功能（1秒），微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。控制系统闸阀。控制系统闸阀具有可隔离的闸阀，以滑动方式操作，可以在高真空环境中实现精确的压力控制。低真空闸阀UMC

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀蝶阀Butterfly Valve。该蝶阀具有紧凑的设计和坚固的不锈钢结构，通过闸板旋转操作。蝶阀可以实现精确的压力控制和低真空环境。例如半导体和工业过程。蝶阀通过控制器和步进电机自动控制到用户指定的值，保持一致的真空压力。可以在高真空环境中实现精确的压力控制。如半导体等高真空工艺应用。控制系统闸阀是自动控制到用户指定的值，通过控制器和步进电机保持一致的真空压力。微泰半导体闸阀被广泛应用于 Evaporation（蒸发）、Sputtering（溅射）、Diamond growth by MW-PACVD（通过 MW-PACVD 生长金刚石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）、Coating（涂层）、Etch（蚀刻）、Diffusion（扩散）、CVD（化学气相沉积）等设备上，可替代 HVA 闸阀、VA T闸阀。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。该闸阀由上海安宇泰环保科技有限公司提供。HV闸阀楔式闸阀当真空阀打开时，闸门移出流路，使气体以高电导率通过。

微泰，铝闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。期特点是*不论什么工艺的设备都可以使用*由半永久性陶瓷球和弹簧组成*应用:隔离泵。铝闸阀规格如下：驱动方式：手动、法兰尺寸：1.5英寸~ 10英寸、阀体：AL6061 (Anodizing)、机械装置：AL6061 (Anodizing)、阀门：O型圈(VITON)、真空密封：O型圈(VITON)、响应时间≤ 3 sec、驱动器：气缸、操作泄漏率< 1×10-10 mbar ℓ/sec、压力范围：< 1×10-10 mbar ℓ/sec、开始时的压差：≤ 30 mbar、初次维护前可用次数100,000次、阀体温度≤ 120 °执行机构温度≤ 60 °C、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩。可替代VAT阀门。

微泰，屏蔽闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• 溅射• Diamond growth by MW-PACVD• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)• Coating（涂层）• Etch• Diffusion•CVD（化学气相沉积）等设备上。可替代VAT闸阀。其特点是*阀体和阻断器之间的间隙小于1mm*防止流入的气体（粉末）进入阀体内部*使用维修配件工具包易于维护*应用:隔离泵，气流中的高水平工艺。屏蔽闸阀规格如下：驱动方式：手动或气动、法兰尺寸：2.5英寸~ 10英寸、法兰类型：ISO, JIS, ASA, CF、连接方式：焊接波纹管、阀门密封：氟橡胶O型圈/Kalrez O型环/EPDM、阀盖密封：Viton O型圈、响应时间：≤ 2 sec、操作压力范围：2.5˝ ~ 6˝ : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8˝ ~ 10˝ : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、开始时的压差：≤ 30 mbar、闸门的差动压力：2.5˝ ~ 6˝ : ≤ 1400 mbar / 8˝ ~ 10˝ ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、维护前可用次数：200,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 60 °C、烤炉温度≤ 150 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩用真空闸阀时，应考虑与工艺气体的兼容性、工作压力范围、循环速度和维护要求等因素。

微泰，传输阀 (L-MOTION)、L型转换阀、输送阀、转移阀应用于晶圆加工，半导体加工，可替代VAT闸阀。其特点是• 主体材料：铝或不锈钢• 紧凑型设计• 使用维修配件工具包易于维护• 应用：半导体系统中小于 450mm 晶圆的传输和处理室隔离，传输阀 (L-MOTION)、输送阀、转移阀规格如下：闸门密封类型：传输阀 (L-MOTION)、左动转换阀、驱动方式：气动、法兰尺寸（内径） 32×222/46×236/50×336/56×500 、连接方式：焊接波纹管、闸门密封 Viton O 形圈/硫化密封件、阀盖密封：氟橡胶O型圈、响应时间：≤ 2 sec、工作压力范围：1×10-10 mbar to 1200 mbar、开始时的压差：≤ 30 mbar、开启时压差： ≤ 1200 mbar r、泄漏率不锈钢：< 1×10 -9Mbarℓ/秒/铝：< 1×10 -5  mbar ℓ/秒、维护前可用次数： ≥1,000,000次、阀体温度≤ 200 °、机构温度≤ 80 °C、烤炉温度≤ 200 °C、材料：阀体(不锈钢304)/驱动器(铝6061阳极氧化)、安装位置：任意、操作压力(N2)：4 ~ 7 bar。有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，上海安宇泰环保科技有限公司。 金属阀体衬里高压阀门主要有衬胶阀门、衬氟阀门、衬铅阀门、衬塑阀门、衬搪瓷阀门。低真空闸阀UMC

闸阀通过阀座和闸板接触进行密封，通常密封面会堆焊金属材料以增加耐磨性。低真空闸阀UMC

微泰半导体主加工设备腔内精确压力控制的闸阀，三重防护闸阀应用于• Evaporation（蒸发）• Sputtering（溅射）• Diamond growth by MW-PACVD（通过MW-PACVD生长金刚石）• PECV• PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷对卷）• Coating（涂层）• Etch（蚀刻）• Diffusion（扩散）•CVD（化学气相沉积）等设备上。有-屏蔽闸阀：防止气体和粉末进入阀内的隔离阀，-三重防护闸阀：屏蔽1和2+保护环的3重隔离系统，还有步进电机闸阀和铝闸阀，屏蔽门阀：产品范围：2.5~12英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•响应时间：0.2秒~3秒；三级预防闸阀，三重防护闸阀：产品范围：4~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀：产品范围：2.5~10英寸•高压/超高压都可用•维护前可用次数：25万次•包括屏蔽功能；步进电机闸阀；铝闸阀：产品范围：2.5~12英寸•高压气动•维护前可用次数：10万次•响应时间：0.2秒~3秒；有中国台湾Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、马来西亚的英菲尼亚半导体、日本Micron、三星半导体和其它的设备使用业绩，可替代HVA闸阀、VAT闸阀。上海安宇泰环保科技有限公司。低真空闸阀UMC