海南sir电阻测试发展

铜镜和铜板腐蚀测试了助焊剂或者助焊剂残留物里面离子之间的反应分别对电化学迁移的潜在影响。***，卤化物含量测量表明了助焊剂中多少的离子来自卤离子。需要注意的是这是有别于无卤和低卤助焊剂的要求。也需要提供附加测量值，比如助焊剂黏度、酸值固体物含量等根据J-STD-004定义的附加测试方法的测试结果。当供应商提供了助焊剂活性等级，相当于给了工程师一个规格，这个规格定义了在标准条件下助焊剂的表现如何，这其中包括了指定的温度循环和测试板。这有别于在特定设计和工艺中认证助焊剂。某些助焊剂等级的测试方法可以修改，以适应其设计特性。但是这些修改可能改变预期的结果，并且会影响到测试合格/失败的极限。梳形电路“多指状”互相交错的密集线路图形，用板面清洁度、绿油绝缘性等，高电压测试的一种特殊线路图形。海南sir电阻测试发展

在确定为CAF失效之前，应该确认连接线两端的电阻是不是要小于菊花链区域的电阻。做法是将菊花链附近连接测试线缆的线路切断。所有的测试结束后，如果发现某块测试板连接线两端的电阻确实小于菊花链区域的电阻，那么这块测试板就不能作为数据分析的依据。常规结果判定：1.96小时静置后绝缘电阻R1≤107欧姆，即判定样本失效；2.当**终测试绝缘电阻R2<108欧姆，或者在测试过程中有3次记录或以上出现R2<108欧姆即判定样本失效。广州维柯信息技术有限公司的高低阻(CAF/TCT)测试系统可以做到有效电压测试。湖北离子迁移绝缘电阻测试订做价格接口友好：软件可定制，或开放数据接口，或接入实验室LIMS系统。

金属离子迁移过程此失效样品灌封胶有机物与电路板上电阻存在一定缝隙，未能完全隔绝两端电极，缝隙的存在为电化学迁移提供了迁移通道。因此密封电阻与电路板间缝隙能够抑制金属离子的迁移过程。针对金属离子的迁移过程，可以加入络合剂，使其与金属正离子形成带负电荷的络合物，带负电的络合物将不会往阴极方向迁移和在阴极处发生还原沉积，由此达到抑制金属离子往阴极迁移的目的。同时，随着外电场强度增大，会加快阳极溶解、离子迁移和离子沉积过程。根据文献[10]报道，当外电压不超过2V时，形成的树枝状沉积物数目较少，且外加电压的增加会使得电化学迁移造成的短路失效时间会***缩短。因此，尽量在设计阶段中，设置元件在工作状态时为较低的外电场，也能避免由于快速发生电化学迁移而导致的短路失效，延长使用寿命。

可靠性试验中，有一项，叫做高加速应力试验(简称HAST)，主要是在测试IC封装体对温湿度的抵抗能力，藉以确保产品可靠性。这项试验方式是需透过外接电源供应器，将DC电压源送入高压锅炉机台设备内，再连接到待测IC插座(Socket)与测试版(HASTboard)，进行待测IC的测试。然而这项试验，看似简单，但在宜特20多年的可靠性验证经验中，却发现客户都会遇到一些难题需要克服。特别是芯片应用日益复杂，精密度不断提升，芯片采取如球栅数组封装(Ball Grid Array，简称BGA)和芯片尺寸构装(Chip Scale package，简称CSP）封装比例越来越高，且锡球间距也越来越小，在执行HAST时，非常容易有电化学迁移(简称ECM）现象的产生，造成芯片于可靠性实验过程中发生电源短路异常。SIR表面绝缘电阻测试的目的之一：使用新色敷形涂料或工艺。

表面绝缘电阻（SIR）IPC-TM-650方法定义了在高湿度环境下表面绝缘电阻的测试条件。SIR测试在40°C和相对湿度为90%的箱体里进行。样板的制备和ECM测试一样，都是依据方法制备（如图1）。***版本的测试要求规定每20分钟要检查一次样板。在七天的测试中，不同模块之间的表面绝缘电阻值衰减必须少于10Ohms，但是要排除**开始24小时的稳定时间。电压是恒定不变的。这和ECM测试在很多方面不一样。两者的不同点是：持续时间、测试箱体条件和频繁测量数据的目的。样板同样需要目测检查枝晶生长是否超过间距的20%和是否有任何腐蚀引起的变色问题。SIR表面绝缘电阻测试的目的之一：变更回流焊或波峰焊工艺。广东电阻测试系统解决方案

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可靠性研究的两大内容就是失效分析和可靠性测试（包括破坏性实验）。两者之间是相互影响和相互制约的。电子元器件技术的快速发展和可靠性的提高奠定了现代电子装备的基础，元器件可靠性工作的根本任务是提高元器件的可靠性。因此，必须重视和加快发展元器件的可靠性分析工作，通过分析确定失效机理，找出失效原因，反馈给设计、制造和使用，共同研究和实施纠正措施，提高电子元器件的可靠性。电子元器件失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象，分辨其失效模式和失效机理，确认结果的失效原因，提出改进设计和制造工艺的建议，防止失效的重复出现，提高元器件可靠性。海南sir电阻测试发展

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