浙江pcb离子迁移绝缘电阻测试销售厂家

金属离子迁移过程此失效样品灌封胶有机物与电路板上电阻存在一定缝隙，未能完全隔绝两端电极，缝隙的存在为电化学迁移提供了迁移通道。因此密封电阻与电路板间缝隙能够抑制金属离子的迁移过程。针对金属离子的迁移过程，可以加入络合剂，使其与金属正离子形成带负电荷的络合物，带负电的络合物将不会往阴极方向迁移和在阴极处发生还原沉积，由此达到抑制金属离子往阴极迁移的目的。同时，随着外电场强度增大，会加快阳极溶解、离子迁移和离子沉积过程。根据文献[10]报道，当外电压不超过2V时，形成的树枝状沉积物数目较少，且外加电压的增加会使得电化学迁移造成的短路失效时间会***缩短。因此，尽量在设计阶段中，设置元件在工作状态时为较低的外电场，也能避免由于快速发生电化学迁移而导致的短路失效，延长使用寿命。摒弃老的设备系统集成观念！浙江pcb离子迁移绝缘电阻测试销售厂家

剖面结构观察通过SEM观察失效电阻镶样的横截面，如图4所示。由图4可发现：电阻一端外电极有一个明显的腐蚀凹坑，这是由电化学反中阳极溶解所产生的，腐蚀形态主要为点蚀。根据文献[5]报道，在电解液中存在Cl-的电化学过程中，阳极表面的钝化膜易溶解于含Cl-的溶液中，或Cl-直接渗透阳极表面的钝化膜，造成钝化膜开裂或形成微孔诱发局部腐蚀，**终形成点蚀坑的腐蚀形貌。电化学迁移失效复现根据失效分析，得出离子、潮气及电场为失效的敏感因子，故设计故障复现试验。将样品分为两组，1000h潮热加电实验。广东制造电阻测试欢迎选购测试速度快：20ms/所有通道。

金属离子在阴极沉积过程在阴极区，阳极溶解生成的金属离子（主要为锡离子和铅离子）在电场的作用下，在电解液中迁移到阴极得到电子直接生成金属单质；或者与阴极生成的氢氧根离子相遇而生成氢氧化物的沉淀物，氢氧化物的沉淀物发生脱水分解为氧化物，氧化物继续还原为金属单质。伴随着枝晶的生长过程，阴极区还发生的反应为电解质中溶解氧气的还原反应及水的还原反应，反应方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O为建立可抑制电化学迁移中阴极还原沉积过程，可能的有效途径为可以在阴极表面添加不同的活性剂，使阴极沉积物由树枝状结构变为分散在阴极表面，由此可有效避免由树枝状枝晶的生长而造成的短路失效。

可靠性试验中，有一项，叫做高加速应力试验(简称HAST)，主要是在测试IC封装体对温湿度的抵抗能力，藉以确保产品可靠性。这项试验方式是需透过外接电源供应器，将DC电压源送入高压锅炉机台设备内，再连接到待测IC插座(Socket)与测试版(HASTboard)，进行待测IC的测试。然而这项试验，看似简单，但在宜特20多年的可靠性验证经验中，却发现客户都会遇到一些难题需要克服。特别是芯片应用日益复杂，精密度不断提升，芯片采取如球栅数组封装(Ball Grid Array，简称BGA)和芯片尺寸构装(Chip Scale package，简称CSP）封装比例越来越高，且锡球间距也越来越小，在执行HAST时，非常容易有电化学迁移(简称ECM）现象的产生，造成芯片于可靠性实验过程中发生电源短路异常。实现多通道电流同时采集，实时监控测试样品离子和材料绝缘劣化过程。

助焊剂等级分类所有的测试完成后，编辑L、M和H的测试数据，所有测试数据的比较高值决定助焊剂的等级。例如，一款助焊剂的活性等级要定为L，就需要五项测试中每个结果都是L_才可以。每个测试从不同的角度来量化电迁移的倾向性。ECM和SIR测试**接近组装产品在使用寿命时间里**容易产生电化学迁移的情况。它们都是在更高的温湿度下进行加速测试，并且发展成为表明可靠性的一种标准。当前SIR测试方法擅长用标准化的方式测试电化学迁移的倾向性。这种测试更接近真实失效机理。由于监测频率的关系，这种测试能够捕捉到绝缘电阻的波动。这种波动可能表示枝晶形成然后又溶解了。这就可以不依赖于灾难性故障来指示潜在的问题。SIR表面绝缘电阻测试的目的之一：考核裸板供应商资质。广东制造电阻测试欢迎选购

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1、**通道高精度微电流测试。2、**通道测试电流电阻，电阻超大量程测量范围在10的4次方到10的14次方。3、实现多通道电流同时采集，实时监控测试样品离子和材料绝缘劣化过程。4、板卡式结构，灵活配置系统通道，1个板卡16通道，单系统可扩展256通道。5、每个板卡一个**测试电源，可适应多批量测试条件。6、测试电压可以扩展使用外接电压，最大电压可高达2000V。7、测试电压可在1.0-500V(2000V)之间以0.1V步进任意可调。 浙江pcb离子迁移绝缘电阻测试销售厂家

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