辽宁电子束蒸发真空镀膜工艺

ALD允许在原子层水平上精确控制膜厚度。而且，可以相对容易地形成不同材料的多层结构。由于其高反应活性和精度，它在精细和高效的半导体领域（如微电子和纳米技术）中非常有用。由于ALD通常在相对较低的温度下操作，因此在使用易碎的底物例如生物样品时是有用的，并且在使用易于热解的前体时也是有利的。由于它具有出色的投射能力，因此可以轻松地应用于结构复杂的粉末和形状。 众所周知，ALD工艺非常耗时。例如，氧化铝的膜形成为每个循环0.11nm，并且每小时的标准膜形成量为100至300nm。由于ALD通常用于制造微电子和纳米技术的基材，因此不需要厚膜形成。通常，当需要大约μm的膜厚度时，就膜形成时间而言，ALD工艺是困难的。作为物质限制，前体必须是挥发性的。另外，成膜靶必须能够承受前体分子的化学吸附所必需的热应力。真空镀膜流程：前处理及化学清洗→衬底真空中烘烤加热→等离子体清洗→金属离子轰击→镀金属过渡层→镀膜。辽宁电子束蒸发真空镀膜工艺

蒸发法镀膜是将固体材料置于真空室内，在真空条件下，将固体材料加热蒸发，蒸发出来的原子或分子能自由地弥布到容器的器壁上。当把一些加工好的基板材料放在其中时，蒸发出来的原子或分子就会吸附在基板上逐渐形成一层薄膜。根据蒸发源不同，真空蒸发镀膜法又可 以分为四种：电阻蒸发源蒸镀法；电子束蒸发源蒸镀法；高频感应蒸发源蒸镀法；激光束蒸发源蒸镀法。本实验采用电阻蒸发源蒸镀法制备金属薄膜材料。蒸发镀膜，要求从蒸发源出来的蒸汽分子或原子，到达被镀膜基片的距离要小于镀膜室内残余气体分子的平均自由程，这样才能保证蒸发物的蒸汽分子能无碰撞地到达基片表面。保证薄膜纯净和牢固，蒸发物也不至于氧化。辽宁电子束蒸发真空镀膜工艺真空镀膜镀层绕镀能力强。

真空镀膜技术在国民经济各个领域有着广泛应用，特别是近几年来，我国国民经济的迅速发展、人民生活水平的不断提高和高科技薄膜产品的不断涌现。尤其是在电子材料与元器件工业领域中占有极其重要的地位。制膜方法可以分为气相生成法、氧化法、离子注人法、扩散法、电镀法、涂布法、液相生长法等。气相生成法又可以分为物理沉积法化学沉积法和放电聚合法等。本次实验是使用物理沉积法，由于这种方法基本上都是处于真空环境下进行的，因此称它们为真空镀膜技术。真空蒸发、溅射镀膜和离子镀等通常称为物理沉积法，是基本的薄膜制备技术。真空蒸发镀膜法是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。

真空镀膜：真空涂层技术发展到了现在还出现了PCVD（物理化学气相沉积）、MT-CVD（中温化学气相沉积）等新技术，各种涂层设备、各种涂层工艺层出不穷。目前较为成熟的PVD方法主要有多弧镀与磁控溅射镀两种方式。多弧镀设备结构简单，容易操作。多弧镀的不足之处是，在用传统的DC电源做低温涂层条件下，当涂层厚度达到0。3um时，沉积率与反射率接近，成膜变得非常困难。而且，薄膜表面开始变朦。多弧镀另一个不足之处是，由于金属是熔后蒸发，因此沉积颗粒较大，致密度低，耐磨性比磁控溅射法成膜差。可见，多弧镀膜与磁控溅射法镀膜各有优劣，为了尽可能地发挥它们各自的优越性，实现互补，将多弧技术与磁控技术合而为一的涂层机应运而生。在工艺上出现了多弧镀打底，然后利用磁控溅射法增厚涂层，较后再利用多弧镀达到较终稳定的表面涂层颜色的新方法。真空镀膜技术是利用物理、化学手段将固体表面涂覆一层特殊性能的镀膜。

真空镀膜的方法：化学气相沉积：在等离子化学气相沉积法中,等离子体中电子温度高达104K,电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,产生大量反应活性物种而使整个反应体系却保持较低温度。而普通的CVD法沉积温度高(一般为1100℃),当在钢材表面沉积氮化钛薄膜时,由于温度很高,致使膜层与基体间常有脆性相出现,致使刀具的切削寿命降低。利用直流等离子化学气相沉积法,在硬质台金上沉积TiN膜结构与性能均匀。PECVD，等离子体化学气相沉积法是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离。辽宁电子束蒸发真空镀膜工艺

真空镀膜的操作规程：把零件放入酸洗或碱洗槽中时，应轻拿轻放，不得碰撞及溅出。辽宁电子束蒸发真空镀膜工艺

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。使用等离子体增强气相沉积法（PECVD）可在低温（200-350℃）沉积出良好的氧化硅薄膜，已被广泛应用于半导体器件工艺当中。在LED工艺当中，因为PECVD生长出的氧化硅薄膜具有结构致密，介电强度高、硬度大等优点，而且氧化硅薄膜对可见光波段吸收系数很小，所以氧化硅被用于芯片的绝缘层和钝化层。辽宁电子束蒸发真空镀膜工艺