浙江磁控溅射真空镀膜平台

时间:2022年04月21日 来源:

电子束蒸发蒸镀如钨(W)、钼(Mo)等高熔点材料,需要在坩埚的结构上做一定的改进,以提高镀膜的效率。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中,因为水冷坩埚导热过快,材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证,蒸发高熔点的材料可以用薄片来蒸镀,将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿,薄片只能通过坩埚边沿来导热,散热速率慢,有利于达到材料蒸发的熔点。经验证,采用此种方式镀膜,薄膜均匀性良好,采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。真空镀膜机类金刚石薄膜通过蒸馏或溅射等方式在塑件表面沉积各种金属和非金属薄膜。浙江磁控溅射真空镀膜平台

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真空镀膜的方法很多,计有:真空蒸镀:将需镀膜的基体清洗后放到镀膜室,抽空后将膜料加热到高温,使蒸气达到约13。3Pa而使蒸气分子飞到基体表面,凝结而成薄膜。阴极溅射镀:将需镀膜的基体放在阴极对面,把惰性气体(如氩)通入已抽空的室内,保持压强约1。33~13。3Pa,然后将阴极接上2000V的直流电源,便激发辉光放电,带正电的氩离子撞击阴极,使其射出原子,溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基体上形成膜。化学气相沉积:通过热分解所选定的金属化合物或有机化合物,获得沉积薄膜的过程。离子镀:实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合,兼有两者的工艺特点。山西ITO镀膜真空镀膜代工从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。

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电子束蒸发蒸镀如钨(W)、钼(Mo)等高熔点材料,跟常规金属蒸镀,蒸镀方式需有所盖上。根据之前的镀膜经验,需要在坩埚的结构上做一定的改进。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中,因为水冷坩埚导热过快,材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证,蒸发高熔点的材料可以采用材料薄片来蒸镀,如将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿,材料只能通过坩埚边沿来导热,减缓散热速率,有利于达到蒸发的熔点。采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。

真空镀膜的方法:分子束外延:分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空镀膜工艺,是在10-8Pa的超高真空条件下,将薄膜的诸组分元素的分子束流,在严格的监控之下,直接喷射到衬底表面。MBE的突出优点在于能生长极薄的单晶膜层,并且能精确地控制膜厚和组分与掺杂适于制作微波,光电和多层结构器件,从而为制作集成光学和超大规模集成电路提供了有力手段。利用反应分子束外延法制备TiO2薄膜时,不需要考虑中间的化学反应,又不受质量传输的影响,并且利用开闭挡板(快门)来实现对生长和中断的瞬时控制,因此膜的组分和掺杂浓度可随着源的变化而迅速调整。MBE的衬底温度Z低,因此有减少自掺杂的优点。真空镀膜中离子镀的镀层无小孔。

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磁控溅射技术可制备装饰薄膜、硬质薄膜、耐腐蚀摩擦薄膜、超导薄膜、磁性薄膜、光学薄膜,以及各种具有特殊功能的薄膜,是一种十分有效的薄膜沉积方法,在各个工业领域应用非常广。“溅射”是指具有一定能量的粒子(一般为Ar+离子)轰击固体(靶材)表面,使得固体(靶材)分子或原子离开固体,从表面射出,沉积到被镀工件上。磁控溅射是在靶材表面建立与电场正交磁场,电子受电场加速作用的同时受到磁场的束缚作用,运动轨迹成摆线,增加了电子和带电粒子以及气体分子相碰撞的几率,提高了气体的离化率,提高了沉积速率。在一定温度下,真空当中,蒸发物质的蒸气与固体平衡过程中所表现出的压力, 称为该物质的饱和蒸气压。浙江磁控溅射真空镀膜平台

真空镀膜的操作规程:把零件放入酸洗或碱洗槽中时,应轻拿轻放,不得碰撞及溅出。浙江磁控溅射真空镀膜平台

磁控溅射的工作原理是指电子在外加电场的作用下,在飞向衬底过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向衬底,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场的作用下沉积在衬底上。由于该电子的能量很低,传递给衬底的能量很小,致使衬底温升较低。浙江磁控溅射真空镀膜平台

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