贵州双靶磁控溅射过程
磁控溅射技术不只是科学研究和精密电子制造中常用的薄膜制备工艺技术,经过多年的不断完善和发展,该技术也已经成为重要的工业化大面积真空镀膜技术之一,普遍应用于玻璃、汽车、医疗卫生、电子工业等工业和民生领域。例如,采用磁控溅射工艺生产镀膜玻璃,其膜层可以由多层金属或金属氧化物祖成,允许任意调节能量通过率、反射率,具有良好的美观效果,被越来越多的被应用于现代建筑领域。再比如,磁控溅射技术也能够应用于织物涂层,这些织物涂层可以应用于安全领域,如防电击、电磁屏蔽和机器人防护面料等,也可用于染料制作。这样的涂层织物在医疗卫生、环境保护、电子工业等领域都有重要的应用。磁控溅射是众多获得高质量的薄膜技术当中使用较普遍的一种镀膜工艺。贵州双靶磁控溅射过程
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,产生E(电场)×B(磁场)所指的方向漂移,简称E×B漂移,其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场,则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动,它们的运动路径不只很长,而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内,并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材,从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加,二次电子的能量消耗殆尽,逐渐远离靶表面,并在电场E的作用下较终沉积在基片上。由于该电子的能量很低,传递给基片的能量很小,致使基片温升较低。云南射频磁控溅射平台磁铁有助于加速薄膜的生长,因为对原子进行磁化有助于增加目标材料电离的百分比。
高速率磁控溅射本质特点是产生大量的溅射粒子,导致较高的沉积速率。实验表明在较大的靶源密度在高速溅射,靶的溅射和局部蒸发同时发生,两种过程的结合保证了较大的沉积速率(几μm/min)并导致薄膜的结构发生变化。与通常的磁控溅射比较,高速溅射和自溅射的特点在于较高的靶功率密度Wt=Pd/S>50Wcm-2,(Pd为磁控靶功率,S为靶表面积)。高速溅射有一定的限制,因此在特殊的环境才能保持高速溅射,如足够高的靶源密度,靶材足够的产额和溅射气体压力,并且要获得较大气体的离化率。较大限制高速沉积薄膜的是溅射靶的冷却。
真空磁控溅射涂层技术与真空蒸发涂层技术的区别:真空磁控溅射涂层技术不同于真空蒸发涂层技术。溅射是指荷能颗粒轰击固体表面,使固体原子或分子从表面射出的现象。大多数粒子是原子状态,通常称为溅射原子。用于轰击目标的溅射颗粒可以是电子、离子或中性颗粒,因为离子很容易加速电场下所需的动能,所以大多数都使用离子作为轰击颗粒。溅射过程是基于光放电,即溅射离子来自气体放电。不同的溅射技术使用不同的光放电方法。直流二极溅射采用直流光放电,三极溅射采用热阴极支撑光放电,射频溅射采用射频光放电,磁控溅射采用环磁场控制的光放电。真空磁控溅射涂层技术与真空蒸发涂层技术相比有许多优点。如任何物质都能溅射,特别是高熔点和低蒸汽压力的元素和化合物;溅射膜与基板附着力好;膜密度高;膜厚可控,重复性好。此外,蒸发法与溅射法相结合,即离子镀。该方法具有附着力强、沉积率高、膜密度高等优点。磁控溅射就是提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。
磁控溅射又称为高速低温溅射。在磁场约束及增强下的等离子体中的工作气体离子,在靶阴极电场的加速下,轰击阴极材料,使材料表面的原子或分子飞离靶面,穿越等离子体区以后在基片表面淀积、迁移较终形成薄膜。与二极溅射相比较,磁控溅射的沉积速率高,基片升温低,膜层质量好,可重复性好,便于产业化生产。它的发展引起了薄膜制备工艺的巨大变革。磁控溅射源在结构上必须具备两个基本条件:(1)建立与电场垂直的磁场;(2)磁场方向与阴极表面平行,并组成环形磁场。真空磁控溅射镀膜特别适用于反应沉积镀膜。河北金属磁控溅射步骤
磁控溅射镀膜的适用范围:在铝合金制品装饰中的应用。贵州双靶磁控溅射过程
中频磁控溅射镀膜技术已逐渐成为溅射镀膜的主流技术。它优于直流磁控溅射镀膜,因为它克服了阳极的消失并削减或消除了靶材的异常电弧放电。直流磁控溅射适用镀膜设备,适用于笔记本电脑,手机外壳,电话,无线通信,视听电子,遥控器,导航和医疗工具等,全自动控制,配备大功率磁控管电源,双靶替换运用,恒定流输出。独特的工件架设计合理,自传性强,产量大,成品率高。膜层的厚度能够通过石英晶体厚度计测量,并且能够镀覆准确的膜厚度。这两种类型的磁控溅射镀膜机在市场上被普遍运用。贵州双靶磁控溅射过程
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