规格书WILLSEMI韦尔ESD5451Z

     SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。

主要特性：

· 截止电压：5V

· 每条线路均符合IEC61000-4-2（ESD）标准的瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）标准的瞬态保护：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）标准的瞬态保护：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害，确保信号完整性，承受力强。适合紧凑设备，环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 WPM3407-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔ESD5451Z

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性：

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻，适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用：

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低RDS(ON)和低栅极电荷，适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流，极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装，无铅无卤素，环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关，驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WNM2101ESD54031Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

截止电压：±3.3VMax

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.2pFtyp

低漏电流

低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便携式电子设备

笔记本电脑

     ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害，适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备，紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。

     WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管，利用先进的沟槽和电荷控制设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 适用于高直流电流的优异导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动

· DC-DC转换器电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电电路

    WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件，专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计，确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷，从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻，确保了高效的能量转换和散热。同时，极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM2015-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23-3。

    WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入（ON）控制，该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中，增加了一个230Ω的片上负载电阻，用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。

主要特性：

· 集成单通道负载开关

· 输入电压范围：0.8V至5.5V

· 极低导通电阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 连续开关上限电流为6A

· 低控制输入阈值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑

· 可配置的上升时间

· 快速输出放电（QOD）

· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM

应用领域：

· 超极本TM

· 笔记本电脑/上网本

· 平板电脑

· 消费电子产品

· 机顶盒/住宅网关

· 电信系统

    WS4665适用于多种应用场合，如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格，请查阅相关数据手册或与我们联系。 WL2836D25-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。代理分销商WILLSEMI韦尔WPM03138E

SS24 肖特基二极管 封装：SMA(DO-214AC)。规格书WILLSEMI韦尔ESD5451Z

    WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030为无铅产品。小型SOT-723封装。

主要特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 优异的开启电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

   WNM2030是专为现代电子系统电源管理设计的高性能MOS场效应晶体管。其RDS(ON)和低栅极电荷特性使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路中表现出色。采用先进沟槽技术，提供高密度和低功耗。快速开关操作适用于高频电源管理。小型SOT-723封装适合便携式设备，且无铅设计满足环保要求。WNM2030为现代电源管理提供高效、可靠和环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5451Z