江苏CeYAP晶体研发

发光材料的X射线激发发射光谱指的是X射线经过发光材料时，发光材料从X射线那里获得能量产生二次电子，二次电子激发发光材料的发光中心，然后发光中心退激发光，样品所发出的光经分光仪器(单色仪)分成不同颜色(或波长)的光，通过光电倍增管测出不同波长的发光强度，得到样品的发光按照波长或频率的一个分布Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗？因此激发谱中几个发光成分其实还可以再分解为不同子能级的发光，而且叠加后的峰形会比单峰明显展宽，普通的拟和只能作近似表达。Ce: YAP 晶体中过渡金属含量均小于 10ppm，对晶体发光影响可以忽略。江苏CeYAP晶体研发

Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP 的荧光激发发射谱，714nm 和685nm发射峰为Mn4+ 离子 2E - 4A2 跃迁[113]。332 nm, 373 nm 和 480 nm ( λem=714nm) 分别属于Mn4+离子的4A2→4T1 (4F), 4A2→4T1 (4P), 4A2→4T2 跃迁。Ce, Mn: YAP 晶体的Ce3+ 的发射峰在397nm，比Ce: YAP 晶体红移了近30 nm，主要是Mn4+ 离子的吸收造成的。图 4-49 中，Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP在480 nm的吸收峰属于Mn4+ 离子的4A2→4T2 跃迁，另从透过谱可知，Mn离子掺杂后Ce: YAP的透过边有明显红移动，并且整体透过性能降低。江苏CeYAP晶体研发CeYAP晶体在装炉时，为了保证炉体内径向温度轴对称分布，线圈、石英管、坩埚及籽晶中心应该保持一致。

YAP晶体属于扭曲钙钛矿结构的正交晶系，可视为晶格常数A=5.328，B=7.367，C=5.178的Al-O 八面体，所有顶点共享而成的三维结构，其结构如图1-7所示。一个YAP原细胞中有四个YAP分子，晶体中有两种可以置换的阳离子位置：一种是扭曲的YO12多面00置(y3半径ry=1.02)；另一个接近理想的八面00置(ral=0.53)。Ce3离子的半径为1.03，取代了YAP中具有C1h对称性的Y3离子。由于失真，实际配位数相当于8。该体系中有三种稳定的化合物：(1) y3al5o12 (YAG)，摩尔比为1)y2 O3al2o 3=:5；(2)摩尔比为2:1的单斜化合物y4al 2o 9(YAM)；(3)摩尔比为1:1的氧化钇(YAP)。YAP是一种均匀熔化的化合物，从熔点到室温没有相变。

随着我们过经济的飞速发展，脱贫致富，实现小康之路触手可及。值得注意的是有限责任公司（自然）企业的发展，特别是近几年，我国的电子企业实现了质的飞跃。从电子元器件的外国采购在出售。电子元器件加工是联结上下游供求必不可少的纽带，目前电子元器件企业商已承担了终端应用中的大量技术服务需求，保证了原厂产品在终端的应用，提高了产业链的整体效率和价值。电子元器件行业规模不断增长，国内市场表现优于国际市场，多个下游企业的应用前景明朗，电子元器件行业具备广阔的发展空间和增长潜力。钙钛矿结构的YAP晶体的孪晶习性很容易揭示。

掺铈高温闪烁晶体是无机闪烁晶体的一个重要发展方向，其中铈：YAP和铈3360Yag是较好的晶体。随着应用要求的变化，闪烁晶体的尺寸越来越大，因此生长大尺寸的闪烁晶体变得更加重要。同时，国内生长的Ce:YAP晶体自吸收现象普遍存在，导致无法有效提高出光量，其机理尚不清楚。为了有效提高Ce:YAP晶体的闪烁性能，解决其自吸收问题，提高其发光强度，重点研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。同时，为了获得高发光效率的大尺寸Ce:YAG晶体，尝试用温度梯度法生长大尺寸Ce:YAG晶体，并探索了晶体的比较好热处理条件。通常高能射线与无机闪烁晶体相互作用存在有三种方式，光电效应，康普顿散射，正负电子对。江苏CeYAP晶体研发

分析CeYAP晶体的自吸收机制，发现Ce4离子有一个电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。江苏CeYAP晶体研发

为了保护铱坩埚，减少铱金损耗，我们先将炉膛抽真空至气压约为10-3Pa，然后充高纯氩气或氩氢混合作为保护气氛，炉内气压约为0.025Mpa。开中频电源升温至原料全部熔化，在此过程中打开晶转，以使炉内温度分布均匀。待原料全部熔化后，仔细观察熔体液流状态，准备下种。条件允许情况下，可适当提高炉内温度，使原料保持过热状态一段时间，通过自然对流使熔体进一步混合均匀。下种前调整功率，使熔体温度在晶体熔点附近(1875oC左右)，并保持恒温，同时缓慢下降籽晶到液面附近。观察液流线流动情况，并在固液界面附件进行烤种约30分钟之后，将籽晶与熔体接触，并连续观察籽晶变化，使保持籽晶既不熔掉又不长大半小时左右，并且光圈亮度保持稳定。江苏CeYAP晶体研发

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