重庆人工TmYAP晶体参数

比较了3at%Tm:YAP晶体在H2退火前后的激光性能。H2退火后3at% tm3360yap晶体的斜率效率比未退火时高40%。如图4-23所示，可以看出H2退火减少了杂质离子(Fe3等。)和晶体中的缺陷，提高晶体的激光性能。具体原因需要进一步分析。Tm3离子在790nm附近的吸收与商用二极管匹配良好，量子效率接近200%。掺Tm3激光器可用作Ho3激光器和中红外参量振荡器的泵浦源。掺tm3激光器是近年来2m激光器的重点研究方向之一，以掺Tm3激光晶体为工作物质的LDPSSL是目前掺Tm3激光器的主要发展方向之一。Tm:YAG可适用于软硬组织的接触与非接触切割、切除和凝固。重庆人工TmYAP晶体参数

Tm:YAP晶体能级结构？由于上述优异的热力学和光谱激光性质，Tm:YAP激光晶体已成为2m波段的重要晶体之一。自20世纪60年代末YAP晶体生长技术取得突破以来，人们开始研究YAP中Tm3的光谱特性。1973年，韦伯等人在77K下实现了YAP晶体中Tm3 1.861m激光输出[29]。此后，Tm:YAP激光晶体的研究取得了很大进展，较大输出功率为50W，比较大倾斜效率为60%。主要激光实验报告如表12所示。除了Tm:YAG和Tm:YAP晶体外，Lu3Al5O12(LuAG)晶体也得到研究。重庆人工TmYAP晶体参数Tm:YAP的结构各向异性使得其发射截面各向异性。

Tm:YAP晶体能级结构通过低温吸收谱和荧光谱，可以比较准确的确定Tm:YAP晶体的能级结构。如图4-17，由吸收谱和发射谱交叠，可确定3F4能级零声子线位置EZL=5621cm-1，然后根据发射谱确定基态13个stark能级，再根据吸收谱确定激发态能级，在这里我们给出了包含3H4、3H5、3F4以及基态3H6的能级图结构1.1.1 Tm:YAP晶体光谱参数及能量转移参数计算光谱参数诸如吸收发射截面、J-O参数、跃迁几率等以及能量转移参数如能量交叉弛豫几率等是评估晶体激光性能、设计激光器结构所需要的重要参数，下面以Tm:YAP吸收和发射光谱为基础，对这些参数进行了计算。

Tm:YAP晶体主要用在哪方面啊？共掺Tm3和Ho3固态激光器。Ho3的5I7能级与Tm3的3F4能级相匹配，很容易实现它们之间的有效能量传递。利用ho3 敏化，高能脉冲激光可以实现2m焦耳以上的输出。但是，Tm3和Ho3之间容易发生上转换发光和反向能量转移，影响上能级粒子的聚集，降低激光效率。例如，HO:LULIF4激光器的比较高单脉冲能量可达1J，而其比较高斜率效率*为16.5%[21]。因此，开发Tm3和Ho3共掺固体激光器的关键是找到合适的激光基质来提高Tm3和Ho3之间的能量转移效率，从而提高激光输出效率。输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺，属于光电子材料领域。

退火对3at%Tm:YAP晶体的影响我们对3at%Tm:YAP样品分别进行了H2和O2退火实验，其中H2退火为1150℃保温20h，O2退火为1200℃保温10h，O2退火后晶体颜色加深，而H2退火后晶体颜色变浅。通过对退火前后吸收谱分析我们发现，氧气退火使212nm-628nm吸收明显增加，并且在254nm和372nm处出现两个比较宽的吸收峰，而氢气退火使该段吸收减少，并且差分吸收谱在254nm和372nm处也出现两个凹陷的峰。我们认为这些缺陷的形成是由于Fe3+、Fe2+的存在造成。其中254nm左右为Fe3+吸收峰，372nm差吸收峰对应Fe3+→O2-→Fe2+电荷转移吸收峰，氧气退火使Fe3+增加而Fe2+减少，故两处吸收峰增强，而氢气退火使Fe3+减少而Fe2+增加，故两处吸收峰减弱。Tm:YAP晶体在激光医疗和官方领域中获得重要应用。重庆人工TmYAP晶体参数

掺Tm3钨酸盐晶体是近年来研究较多的一种激光晶体。重庆人工TmYAP晶体参数

电子元器件是构成电子信息系统的基本功能单元，是各种电子元件、器件、模块、部件、组件的统称，同时还涵盖与上述电子元器件结构与性能密切相关的封装外壳、电子功能材料等。中国Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG行业协会秘书长古群表示 5G 时代下Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG产业面临的机遇与挑战。认为，在当前不稳定的国际贸易关系局势下，通过 2018—2019 年中国电子元件行业发展情况可以看到，被美国加征关税的Ce:YAG，Ce:YAP，Tm:YAP，Yb:YAG产品的出口额占电子元件出口总额的比重*为 10％。目前汽车行业、医治、航空、通信等领域的无一不刺激着电子元器件。就拿近期的热门话题“5G”来说，新的领域需要新的技术填充。“5G”所需要的元器件开发有限责任公司（自然）要求相信也是会更高，制造工艺更难。电子元器件几乎覆盖了我们生活的各个方面，既包括电力、机械、交通、化工等传统工业，也涵盖航天、激光、通信、机器人、新能源等新兴产业。据统计，目前，我国电子元器件加工产业总产值已占电子信息行业的五分之一，是我国电子信息行业发展的根本。重庆人工TmYAP晶体参数

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