双折射CeYAG晶体

通常，在闪烁晶体中，闪烁光的强度从零瞬开始增加，并达到比较大值I0(t=0)，然后闪烁光将指数衰减(当用一阶动力学处理时)，晶体生长的适宜温度场主要通过选择和调整石墨加热器、钼坩埚和钼反射保温屏的形状和相对位置来获得。所用钼坩埚的尺寸为78毫米h70毫米，钼坩埚锥形下部的籽晶槽中填充有111方向的纯钇铝石榴石籽晶。Ce:YAG晶体的生长温度约为1970，生长周期约为15天。结晶完成后，晶体在炉内原位退火，待炉内温度降至室温后取出晶体。钇铝石榴石晶体由于热膨胀系数大于钼，容易从钼坩埚中取出，但晶体下部经常与坩埚粘结，导致出坩埚取晶体时晶体下部边缘开裂。整个晶体内部质量完好无损闪烁晶体可用于辐射探测和安全防护。双折射CeYAG晶体

Ce：YAG晶体光产额是多少？Ce:YAG晶体，属于无机闪烁体。无机闪烁晶体研究的真正前奏始于半个世纪前罗伯特霍夫斯塔德发现NaI(Tl)单晶的优异闪烁性能。经过半个多世纪的发展，无机闪烁晶体不但发现了性能优异的闪烁晶体，如BGO、铯：Na、钡F2、PWO和铈Ce:LSO等，而且极大地拓展了闪烁晶体在高能物理和核物理、医疗、安检、工业等领域的应用；此外，无机闪烁晶体的闪烁机制不断得到改进和发展，为改进现有闪烁体和寻找性能更好的新型无机闪烁晶体提供了坚实的理论基础。上海新型CeYAG晶体生产CeYAG晶体的良好的温度机械性能有利于制备出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。

一种生长CeYAG单晶荧光材料的方法技术，坩埚下降法生长CeYAG单晶荧光材料的方法。该晶体化学式为：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种。晶体生长炉温范围1900～2000℃，坩埚下降方向固液界面的温度梯度为10～50℃/cm，坩埚下降速率为0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩埚直径为30～120mm，高度为50～200mm。本发明专利技术采用坩埚下降法具有操作简单，成本低，生长的CeYAG晶体体积大、内部缺陷少、掺杂浓度高等优点。

Ce:YAG高温闪烁晶体不但具有闪烁性能，而且具有良好的光脉冲分辨射线和粒子的能力，能与硅光二极管有效耦合，耐高温不潮解，可在极端条件下应用。因此，用Ce:YAG与硅光二极管耦合制成的闪烁探测器可普遍应用于低能射线、粒子等轻带电粒子的探测等核物理实验。此外，Ce:YAG单片机还可以作为扫描电子显微镜的显示元件，在大规模集成电路的检测中有着重要而普遍的应用。另外，与CsI:Tl闪烁晶体相比，Ce:YAG闪烁晶体响应小，光衰减快，在小于500Kev的能量范围内不潮解，有望部分替代CsI:Tl闪烁晶体。表1-11比较了Ce3360 YAG和CsI:Tl闪烁晶体的主要闪烁特性。CeYAG晶体，属于无机闪烁体。

高温闪烁晶体今后的发展趋势主要包括以下几个方面： 1、研究高温闪烁晶体中存在的各种点缺陷及其对闪烁性能的影响，真正实现无机闪烁晶体的分子优化与分子设计。2、发展混合型高温闪烁晶体将是今后发展的趋势之一。例如，Ce:LuAP高温闪烁晶体具有十分诱人闪烁性能，但是在晶体生长过程中容易生成石榴石相，很难获得稳定的LuAP相，从而限制了晶体的使用.1近，研究表明，与Ce:LuAP晶体相比，混合型晶体Lux(RE3+)1-xAP:Ce (RE3+ = Y3+ or Gd3+)可以降低晶体生长难度以及生产成本，同时闪烁性能也比较理想。在5KV之内以及超过100KV的更高加速电压下，CeYAG晶体具有更好的响应。上海专业CeYAG晶体加工

CeYAG晶体可以用在LED照明上吗？双折射CeYAG晶体

大功率LED照明的需求越来越大，但随着蓝光LED芯片功率的不断上升，散热和光衰减等问题也愈发显现出来。为探索大功率LED特种照明，基于阵列蓝光LED激发CeYAG荧光晶体，采用创新的结构装置，在小面积端面输出高流明密度的光。研究影响LED出光的因素、不同掺杂浓度(物质的量浓度)晶棒对于蓝光的吸收、大功率LED激发不同Ce离子掺杂浓度晶棒的出光效果、晶棒端面处理情况对于出光的影响等。结果表明，利用氮化铝制成的基板满足大功率LED的散热需求，掺杂浓度为0.8%的晶棒出光光通量更高，对晶棒端面进行处理可大幅提升出光光通量。双折射CeYAG晶体

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