海南双掺CeYAG晶体好不好

CeYAG晶体和透明陶瓷的光学和闪烁性能，采用温梯法生长了CeYAG晶体和真空烧结法制备了CeYAG透明陶瓷，并对晶体和透明陶瓷的光学和闪烁性能进行了对比研究.CeYAG晶体和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+离子的特征吸收带和540nm附近的发射峰，但CeYAG晶体同时存在296和370nm的色心吸收，其发射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶体和陶瓷的X射线荧光中均存在520nm附近的Ce3+离子发射，但晶体中还存在由反格位缺陷引起的300nm的发射.CeYAG晶体和陶瓷的光产额分别为16800和9800photons/MeV，纳秒灯激发下的荧光寿命分别为61.9和62.97ns.CeYAG晶体与陶瓷相比，具有高的光产额和快的荧光衰减特性。无机闪烁晶体晶体应用很广，可用在核医学成像(XCT和正电子发射断层扫描)。海南双掺CeYAG晶体好不好

在Ce:YAG晶体中，Ce3离子以D2对称性取代Y3位。在晶体场的作用下，4f1电子构型的Ce3离子基态分裂为2F5/2和2F7/2双态，其5d能级分裂为5个子能级，比较低5d子能级离基态约22 000波。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。在可见光范围内可以观察到4个特征吸收峰，峰值波长分别为223nm、340nm、372nm和460nm，对应于Ce3离子从4f到5d的亚能级跃迁。在室温下，其荧光光谱为500纳米至700纳米的宽带光谱，峰值约为525纳米，对应比较低5d子能级至2F5/2基态能级。如果高能射线入射，其荧光光谱向红色移动，发射波长为550纳米，可以很好地与硅光二极管耦合。生长CeYAG晶体企业闪烁晶体是核医学影像设备比如X光、CT等检查设备的关键部件。

采用提拉法生长CeYAG单晶，通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征，研究了CeYAG单晶封装白光LED的较佳掺杂浓度.在455 nm蓝光激发下，CeYAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的宽发射带(500650 nm)组成激发光谱由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2个激发峰组成Stokes位移为2448cm-1，Huang-Rhys因子为6.12.研究结果表明，CeYAG单晶中Ce离子掺杂浓度与封装的白光LED之间有对应关系，在650nm红粉调节下Ce离子较佳掺杂浓度范围为0.0340.066。

利用提拉法生长出的品质高的CeYAG闪烁晶体开展了高分辨率X射线成像系统关键器件——闪烁体研制工作，成功制备了尺寸为Φ30mm，厚度为30-45μm的品质高的闪烁晶体元件，并研制出基于超薄CeYAG闪烁晶体的高分辨X光探测器，实现X光辐照条件下高分辨成像。CeYAG作为闪烁晶体，具有高的发光效率和宽的光脉冲，并且它的发光峰(550nm)能很好的与光电二极管的灵敏波长配合，适合于在用光电二极管作为光探测器和探测轻带电粒子时使用。且不潮解、耐高温、热力学性能稳定，可以应用于极端的探测环境中。在5KV之内以及超过100KV的更高加速电压下，CeYAG晶体具有更好的响应。

光衰减常数是表征闪烁晶体光衰减的物理量，是表征无机闪烁晶体的重要物理量。几乎所有的闪烁计数应用都要求无机闪烁晶体具有快速的光衰减常数。根据荧光理论，电偶极子跃迁几率(Wr)的倒数为光衰减时间，其中c是光速，me是电子的质量，e是电子的电荷，f是振子强度，n是材料的折射率，是跃迁的光波长。从上面的公式可以推断出发射短波长闪烁光的晶体具有很小的光衰减常数。此外，杂质或热猝灭可以缩短晶体的光衰减，但这也会降低晶体的光输出。CeYAG闪烁晶体具有快衰减时间。生长CeYAG晶体企业

CeYAG晶体是一种重要的具有优良闪烁性能的闪烁晶体。海南双掺CeYAG晶体好不好

铈离子掺杂氧化物和硫化物闪烁晶体与卤素化合物晶体相比，氧化物晶体具有优良的热力学性能以及稳定的化学性质等优点。因此，铈离子掺杂的无机氧化物闪烁晶体包括铝酸盐、硅酸盐、硼酸盐以及磷酸盐等晶体受到人们的极大重视并被普遍研究。表1-8总结了铈离子掺杂氧化物闪烁晶体的基本闪烁性能[9]。从表中可以知道，多数铈离子掺杂的氧化物闪烁晶体具有高光输出和快衰减等特征，尤其是铈离子掺杂的铝酸盐和硅酸盐闪烁晶体具有诱人的闪烁性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等无机闪烁晶体，被誉为新一代高性能无机闪烁晶体海南双掺CeYAG晶体好不好

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