山西生长CeYAG晶体参数

时间:2022年08月26日 来源:

电子-空穴对的产生是入射高能光子和晶体中原子相互作用的结果。主要包括原子的电离和激发,电子-电子和电子-声子的弛豫,以及其他辐射和非辐射的能量耗散过程。众所周知,高能射线不能直接电离和激发无机闪烁晶体中的原子。相反,它们通过光电效应、康普顿效应和电子对效应产生的电子电离和激发晶体中的原子。当入射射线具有中等能量(几百KeV左右)时,主要发生光电效应,即高能射线与晶体中原子的内层电子(通常是K层)相互作用产生初级光电子。Ce:YAG晶体的生长温度约为1970,生长周期约为15天。山西生长CeYAG晶体参数

一般来说,m值越大意味着检波器的信噪比越好。当光线与闪烁晶体相互作用时,晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。假设电子空穴对转化为闪烁光子的效率为(与从电子空穴对到发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率有关),可以得出:无机闪烁晶体的光输出主要与晶体成分(,Eg)、电子空穴向发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率()有关。NaI:Tl闪烁晶体具有比较大光输出(约48,000 ph/mev)。将其他无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较得到的相对值(%NaI(Tl))称为“相对光输出”。相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。浙江白光LED用CeYAG晶体制造CeYAG晶体的闪烁特性及其应用。

物质的有效原子序数可由公式计算:式中,Wi为构成晶体的原子I的重量百分比,Zi为构成晶体的原子I的有效原子数。从公式中可以看出,大的有效原子序数往往与重密度不一致。此外,在许多场合下,经常使用吸收系数()、辐射长度(X0)和摩尔半径(RM)来代替晶体的有效原子序数或密度来表征无机闪烁晶体的性能。这些性能参数与晶体的密度()和有效原子序数(z)之间的关系如下[14][24]。,RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶体中的电子密度和吸收截面,a是原子量)当I (t)=i0/e时,t=就是所谓的光衰减常数。

CeYAG晶体和透明陶瓷的光学和闪烁性能,采用温梯法生长了CeYAG晶体和真空烧结法制备了CeYAG透明陶瓷,并对晶体和透明陶瓷的光学和闪烁性能进行了对比研究.CeYAG晶体和陶瓷都具有位于230,340和460nm波段的Ce3+离子的特征吸收带和540nm附近的发射峰,但CeYAG晶体同时存在296和370nm的色心吸收,其发射峰位于398nm,而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶体和陶瓷的X射线荧光中均存在520nm附近的Ce3+离子发射,但晶体中还存在由反格位缺陷引起的300nm的发射.CeYAG晶体和陶瓷的光产额分别为16800和9800photons/MeV,纳秒灯激发下的荧光寿命分别为61.9和62.97ns.CeYAG晶体与陶瓷相比,具有高的光产额和快的荧光衰减特性。无机闪烁晶体研究的真正前奏始于半个世纪前罗伯特霍夫斯塔德发现NaI(Tl)单晶的优异闪烁性能。

白光LED用CeYAG单晶光学性能及封装工艺的研究,采用提拉法生长了白光LED用CeYAG单晶,通过吸收光谱、激发发射光谱和变温光谱对其光学性能和热稳定性进行了表征,并研究了晶片用于封装白光LED光源中各因素对其光电性能的影响。CeYAG晶片能被466 nm波长的蓝光有效激发,产生500~700 nm范围内的宽发射带。Ce3+的4f→5d轨道的跃迁吸收对应于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五个吸收峰,据此量化分裂的5d能级能量,依次为21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。温度升高,Ce3+的2F7/2能量升高导致了发光强度的降低,可降低幅度(13.28%)不大。钇铝石榴石晶体由于热膨胀系数大于钼,容易从钼坩埚中取出。上海白光LED用CeYAG晶体规格

CeYAG晶体的优势:发射波长与硅光二极管的灵敏探测波长匹配。山西生长CeYAG晶体参数

目前,Ce:YAG高温闪烁晶体业已商品化,主要用于扫描电镜(SEM)的显示部件,其生长方法主要为提拉法和温梯法。近年来, Ce:YAG单晶薄膜[84],以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等闪烁体由于有其独特的优势也备受人们的关注.为了填补我国在高温闪烁晶体研究领域的空白,本论文选取具有优良闪烁性能的Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体为研究对象,围绕高温闪烁晶体存在的主要问题及其发展趋势,重点开展了提拉法与温梯法生长Ce:YAP和Ce:YAG晶体的研究与表征工作。山西生长CeYAG晶体参数

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