上海大尺寸CeYAG晶体元件

大功率LED照明的需求越来越大，但随着蓝光LED芯片功率的不断上升，散热和光衰减等问题也愈发显现出来。为探索大功率LED特种照明，基于阵列蓝光LED激发CeYAG荧光晶体，采用创新的结构装置，在小面积端面输出高流明密度的光。研究影响LED出光的因素、不同掺杂浓度(物质的量浓度)晶棒对于蓝光的吸收、大功率LED激发不同Ce离子掺杂浓度晶棒的出光效果、晶棒端面处理情况对于出光的影响等。结果表明，利用氮化铝制成的基板满足大功率LED的散热需求，掺杂浓度为0.8%的晶棒出光光通量更高，对晶棒端面进行处理可大幅提升出光光通量。CeYAG晶体还用作阴极射线管的荧光体。上海大尺寸CeYAG晶体元件

以CeYAG单晶取代传统CeYAG荧光粉用于制备白光发光二极管(LED)，研究了CeYAG单晶厚度及驱动电压的变化对其发射光谱、色坐标、亮度、光视效能和色温的影响。研究结果表明，在基于CeYAG单晶的白光LED中，发射光的色坐标以及蓝光与黄绿光之间的相对强度可通过对CeYAG单晶片厚度的改变进行调整。在恒定电压驱动下，白光LED样品的亮度、光视效能和色温均随单晶片厚度的减小而增加。当CeYAG单晶厚度为0.6 mm时，可获得较纯的白发射光，并且其色坐标具有较高的可靠性和稳定性，基本不受驱动电压变化的影响。研究结果表明CeYAG单晶是一种可用于新型白光LED的理想荧光材料。上海大尺寸CeYAG晶体元件通常，在闪烁晶体中，闪烁光的强度从零瞬开始增加，并达到比较大值I0(t=0)。

铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征，是今后无机闪烁晶体的一个重要发展方向。目前我国对闪烁晶体的研究主要集中在低熔点的闪烁晶体上，而且中科院上海硅酸盐研究所和北京玻璃研究所等单位在BGO，PWO，CsI:Tl，BaF2等晶体的研究和开发上在国际上占有一席之地，为发展我国的无机闪烁晶体产业作了大量的工作。但是，对于具有广泛应用前景的高光输出快衰减高温无机闪烁晶体的研究，在国内尚不成气候，同时也未见详细的报道。

白光LED用CeYAG单晶光学性能及封装工艺的研究，采用提拉法生长了白光LED用CeYAG单晶，通过吸收光谱、激发发射光谱和变温光谱对其光学性能和热稳定性进行了表征，并研究了晶片用于封装白光LED光源中各因素对其光电性能的影响。CeYAG晶片能被466 nm波长的蓝光有效激发，产生500~700 nm范围内的宽发射带。Ce3+的4f→5d轨道的跃迁吸收对应于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五个吸收峰，据此量化分裂的5d能级能量，依次为21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。温度升高，Ce3+的2F7/2能量升高导致了发光强度的降低，可降低幅度(13.28%)不大。利用闪烁晶体探测注入人体内的放射性示踪剂产生的高能伽马射线。

一般来说，m值越大意味着检波器的信噪比越好。当光线与闪烁晶体相互作用时，晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。假设电子空穴对转化为闪烁光子的效率为(与从电子空穴对到发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率有关)，可以得出：无机闪烁晶体的光输出主要与晶体成分(，Eg)、电子空穴向发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率()有关。NaI:Tl闪烁晶体具有比较大光输出(约48，000 ph/mev)。将其他无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较得到的相对值(%NaI(Tl))称为“相对光输出”。相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。上海大尺寸CeYAG晶体元件

当光线与闪烁晶体相互作用时，晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。上海大尺寸CeYAG晶体元件

和小编来看看什是CeYAG晶体？基于CeYAG晶体的掺Ce光纤拉制技术，基于管棒法(Rod-in-Tube)技术，以CeYAG晶体作为芯棒，纯石英玻璃管作为套管，利用石墨炉，拉丝塔拉制了掺铈(Ce)光纤.通过X射线能谱(EDX)分析拉制而成的光纤，得到光纤的纤芯变为玻璃材料，而不显然，像BGO这样的闪烁晶体有很大的局限性。近期，美国的某公司使用新的闪烁晶体Ce:LSO [29]制作了一个具有高空间和时间分辨率(2毫米、30分钟和4毫米、10分钟)的PET原型。Ce:YAG具有快衰减以及在550nm发射荧光，使得它可以应用于中低能量γ射线α粒子的探测等领域！上海大尺寸CeYAG晶体元件

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