安徽新型CeYAG晶体定制

一种生长CeYAG单晶荧光材料的方法技术，坩埚下降法生长CeYAG单晶荧光材料的方法。该晶体化学式为：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种。晶体生长炉温范围1900～2000℃，坩埚下降方向固液界面的温度梯度为10～50℃/cm，坩埚下降速率为0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩埚直径为30～120mm，高度为50～200mm。本发明专利技术采用坩埚下降法具有操作简单，成本低，生长的CeYAG晶体体积大、内部缺陷少、掺杂浓度高等优点。闪烁晶体是指高能粒子的撞击下，能将高能粒子的动能转变为光能而发出闪光的晶体。安徽新型CeYAG晶体定制

CeYAG晶体的优势：发射波长与硅光二极管的灵敏探测波长匹配，衰减快，没有余晖，不潮解、耐高温、化学性能稳定，可以应用于极端的探测环境。CeYAG作为闪烁晶体，具有高的发光效率和宽的光脉冲，并且它的发光峰(550nm)能很好的与硅光二极管的灵敏探测波长匹配，耦合效率高，适合于在用光电二极管作为光探测器和探测轻带电粒子时使用。另外，CeYAG晶体还用作阴极射线管的荧光体，并可用于白光LED作为荧光转换材料。希望以上的一些介绍能够帮助到你。青海国产CeYAG晶体好不好无机闪烁晶体晶体应用很广，可用在核医学成像(XCT和正电子发射断层扫描)。

在Ce:YAG晶体中，Ce3离子以D2对称性取代Y3位。在晶体场的作用下，4f1电子构型的Ce3离子基态分裂为2F5/2和2F7/2双态，其5d能级分裂为5个子能级，比较低5d子能级离基态约22 000波。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。在可见光范围内可以观察到4个特征吸收峰，峰值波长分别为223nm、340nm、372nm和460nm，对应于Ce3离子从4f到5d的亚能级跃迁。在室温下，其荧光光谱为500纳米至700纳米的宽带光谱，峰值约为525纳米，对应比较低5d子能级至2F5/2基态能级。

一种蓝光半导体激光器激发CeYAG晶体的激光照明系统，包括蓝光半导体激光器，光学耦合透镜组，光纤，CeYAG晶体模块，光学透镜组，上述元件依次排列于同一光路上.其中N个(N≥1)蓝光半导体激光器经过光学耦合透镜组的准直和聚焦，耦合进光纤，多根光纤可以进行捆绑合束，也可以进行熔融拉锥合束，从光纤出来的蓝光半导体激光激发具有高激光损伤阈值的CeYAG晶体模块，产生490～700nm波段的荧光(即受激发荧光)，并通过对CeYAG晶体模块的光学设计达到对透射的蓝色激光和受激发荧光的匀化，光学透镜组对CeYAG晶体模块匀化后的光线进行配光曲线的调节，从而产生用于照明领域的均匀白光。闪烁晶体是核医学影像设备比如X光、CT等检查设备的关键部件。

我们采用温梯法生长了Ce:YAG 晶体，原料采用高纯 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化学式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生长方向 <111>，高纯 Ar 气氛，具体生长方法见第二章所述。如图 5-1，生长的晶体尺寸为Φ110×80mm，呈黄黑色，主要是由发热体质量欠佳造成的碳挥发物引起的。晶体*在放肩部位有两处小裂纹，外形绝大部分保持完整。生长出来的晶体经过高温空气退火 24 小时后，黑色基本消失。图 5-2 为晶体切片样品，样品经空气退火后加工，从图可见在晶体的中心位置仍有少量黑色物质，中心部分的碳污染无法消除说明退火不充分，经再次空气退火可完全消除。由应力仪下观察的结果来看，晶体中无明显应力，也没有因小面生长现象而产生的**，说明晶体生长过程中固液界面较平。无机闪烁晶体研究的真正前奏始于半个世纪前罗伯特霍夫斯塔德发现NaI(Tl)单晶的优异闪烁性能。上海双折射CeYAG晶体企业

CeYAG单晶在340nm和460nm处有明显的吸收峰。安徽新型CeYAG晶体定制

ce : YAG晶体的闪烁特性及其应用。Ce:YAG高温闪烁晶体不但具有闪烁性能，而且具有良好的光脉冲分辨射线和粒子的能力，能与硅光二极管有效耦合，耐高温不潮解，可在极端条件下应用。因此，用Ce:YAG与硅光二极管耦合制成的闪烁探测器可普遍应用于低能射线、粒子等轻带电粒子的探测等核物理实验。此外，Ce:YAG单片机还可以作为扫描电子显微镜的显示元件，在大规模集成电路的检测中有着重要而普遍的应用。另外，与CsI:Tl闪烁晶体相比，Ce:YAG闪烁晶体响应小，光衰减快，在小于500Kev的能量范围内不潮解，有望部分替代CsI:Tl闪烁晶体。安徽新型CeYAG晶体定制

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