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Ce:YAG晶体的发射峰的中心波长约为550nm吗？无机闪烁晶体(Ce:YAG)的闪烁机理之电子空穴对的产生。电子-空穴对的产生是入射高能光子和晶体中原子相互作用的结果。主要包括原子的电离和激发，电子-电子和电子-声子的弛豫，以及其他辐射和非辐射的能量耗散过程。众所周知，高能射线不能直接电离和激发无机闪烁晶体中的原子。相反，它们通过光电效应、康普顿效应和电子对效应产生的电子电离和激发晶体中的原子。当入射射线具有中等能量(几百KeV左右)时，主要发生光电效应，即高能射线与晶体中原子的内层电子(通常是K层)相互作用产生初级光电子。利用闪烁晶体探测注入人体内的放射性示踪剂产生的高能伽马射线。海南品质CeYAG晶体现货

铈离子掺杂氧化物和硫化物闪烁晶体与卤素化合物晶体相比，氧化物晶体具有优良的热力学性能以及稳定的化学性质等优点。因此，铈离子掺杂的无机氧化物闪烁晶体包括铝酸盐、硅酸盐、硼酸盐以及磷酸盐等晶体受到人们的极大重视并被普遍研究[9]。表1-8总结了铈离子掺杂氧化物闪烁晶体的基本闪烁性能[9]。从表中可以知道，多数铈离子掺杂的氧化物闪烁晶体具有高光输出和快衰减等特征，尤其是铈离子掺杂的铝酸盐和硅酸盐闪烁晶体具有诱人的闪烁性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等无机闪烁晶体，被誉为新一代高性能无机闪烁晶体。河北生长CeYAG晶体品牌相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。

我们采用温梯法生长了Ce:YAG 晶体，原料采用高纯 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化学式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生长方向 <111>，高纯 Ar 气氛，具体生长方法见第二章所述。如图 5-1，生长的晶体尺寸为Φ110×80mm，呈黄黑色，主要是由发热体质量欠佳造成的碳挥发物引起的。晶体*在放肩部位有两处小裂纹，外形绝大部分保持完整。生长出来的晶体经过高温空气退火 24 小时后，黑色基本消失。图 5-2 为晶体切片样品，样品经空气退火后加工，从图可见在晶体的中心位置仍有少量黑色物质，中心部分的碳污染无法消除说明退火不充分，经再次空气退火可完全消除。由应力仪下观察的结果来看，晶体中无明显应力，也没有因小面生长现象而产生的**，说明晶体生长过程中固液界面较平。

什么是闪烁晶体？对于闪烁晶体你了解得多吗？快和小编一起来看看下文的一些介绍吧，闪烁晶体，就是当高能粒子射线照射到晶体上时，在晶体中能发出一定波长的闪烁荧光。经光电转换系统和电子设备，可确定粒子的能量。随着科学技术的发展，闪烁材料的应用范围随之扩大，对闪烁晶体的综合性能要求也 越来越高，进一步生长具有高密度、优良光学均匀性、强高能粒子阻止本领、高光产额、快衰 减、高稳定性、低成本等综合性能优异的闪烁晶体仍是闪烁材料研究的重点。闪烁晶体可用于辐射探测和安全防护。

在Ce:YAG晶体中，Ce3离子以D2对称性取代Y3位。在晶体场的作用下，4f1电子构型的Ce3离子基态分裂为2F5/2和2F7/2双态，其5d能级分裂为5个子能级，比较低5d子能级离基态约22 000波。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。在可见光范围内可以观察到4个特征吸收峰，峰值波长分别为223nm、340nm、372nm和460nm，对应于Ce3离子从4f到5d的亚能级跃迁。在室温下，其荧光光谱为500纳米至700纳米的宽带光谱，峰值约为525纳米，对应比较低5d子能级至2F5/2基态能级。如果高能射线入射，其荧光光谱向红色移动，发射波长为550纳米，可以很好地与硅光二极管耦合。Ce:YAG高温闪烁晶体不但具有闪烁性能，而且具有良好的光脉冲分辨射线和粒子的能力。广西大尺寸CeYAG晶体销售商

经过半个多世纪的发展，无机闪烁晶体不但发现了性能优异的闪烁晶体。海南品质CeYAG晶体现货

闪烁晶体到底是什么呢？不了解可以好小编来看看下文的介绍，新一代闪烁晶体在核医学影像诊断、高能物理、安全检查、地质勘探、**装备、无损检测等各种射线的探测领域有着很多应用。已经向很多相关单位提供晶体与器件，与国内外科研单位合作开发的用于高能物理、环境射线探测和国土矿产调查的新型伽马射线探测器，获得行业的高度认可。综合性能优异的闪烁晶体，可以实现高能粒子和射线等电离辐射的高效率探测。希望以上的一些相关的介绍能够对你有一些帮助。海南品质CeYAG晶体现货

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