北京双折射CeYAG晶体供应

我们采用温梯法生长了Ce:YAG 晶体，原料采用高纯 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化学式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生长方向 <111>，高纯 Ar 气氛，具体生长方法见第二章所述。如图 5-1，生长的晶体尺寸为Φ110×80mm，呈黄黑色，主要是由发热体质量欠佳造成的碳挥发物引起的。晶体*在放肩部位有两处小裂纹，外形绝大部分保持完整。生长出来的晶体经过高温空气退火 24 小时后，黑色基本消失。图 5-2 为晶体切片样品，样品经空气退火后加工，从图可见在晶体的中心位置仍有少量黑色物质，中心部分的碳污染无法消除说明退火不充分，经再次空气退火可完全消除。由应力仪下观察的结果来看，晶体中无明显应力，也没有因小面生长现象而产生的**，说明晶体生长过程中固液界面较平。CeYAG晶体与陶瓷相比，具有高的光产额和快的荧光衰减特性。北京双折射CeYAG晶体供应

Ce：YAG晶体的硬度能达到多少？深剖Ce；YAG晶体，隶属于无机闪烁晶体。无机闪烁晶体发光中心的激发和发射过程包括从热化电子-空穴对到发光中心的能量转移和发光中心的激发和发射。电子空穴对的能量转移效率取决于电子空穴相对发光中心的空间分布。如果电子空穴靠近发光中心，其能量转移效率高；相反，能量传递效率低。这种情况下，电子和空穴往往被晶体中的杂质或晶格缺陷俘获，形成各种F-H色心对。同时，电子-空穴对在与晶格相互作用时也会产生自陷，比如离子闪烁晶体中经常出现的Vk中心，这个Vk中心在本征离子闪烁晶体的发光机制中起着重要作用。重庆双掺CeYAG晶体报价Ce:YAG晶体的生长温度约为1970，生长周期约为15天。

白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能研究，采用提拉法生长Eu，CeYAG晶体及Gd，CeYAG晶体，并通过吸收光谱，激发，发射光谱及电光性能等对晶体材料的光谱特性进行表征.结果表明，Eu或Gd共掺杂的CeYAG单晶荧光材料均可以被波长460nm左右的蓝光芯片有效激发，产生一个范围为480~650 nm的宽峰发射。Eu3或Gd3共掺杂会对Ce3离子的发光产生影响Eu3离子的掺杂，会对Ce3离子的发光产生淬灭效应。Ce：YAG晶体常规尺寸是多少？由于Ce离子分凝系数小，通常在提拉法生长Ce:YAG的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。

闪烁晶体可以应用的领域有很多，你知道吗？下文就居一些简单的例子，感兴趣的一起来看看吧，在医院，利用闪烁晶体探测注入人体内的放射性示踪剂产生的高能伽马射线，在PET/CT机上获取人体的功能和代谢显像，代谢率高的组织或病变呈亮信号，代谢率低的呈暗信号，通过图像医生可以快速诊断出人体各部位的病变、相关组织的大小和位置，用于病症早期诊断和医治。在油田，利用闪烁晶体获得地层放射性物质含量和种类分布等数据，从而判断地层油气含量和位置。CeYAG晶体的闪烁特性及其应用。

CeYAG高温闪烁晶体主要应用在轻粒子探测、α粒子探测、gamma射线探测等领域，另外它还可以应用于电子探测成像（SEM）、高分辨率显微成像荧光屏等领域。目前，可以提供掺杂浓度0.08－1at%掺杂高度透明的CeYAG闪烁晶体。CeYAG闪烁晶体具有快衰减时间（约70ns），而且CeYAG闪烁晶体不潮解、耐高温、热力学性能稳定，可以应用于极端的探测环境中。CeYAG高温闪烁晶体主要应用在轻粒子探测、α粒子探测、gamma射线探测等领域，另外它还可以应用于电子探测成像（SEM）、高分辨率显微成像荧光屏等领域。用CeYAG与硅光二极管耦合制成的闪烁探测器可应用于低能射线、粒子等轻带电粒子的探测等核物理实验。重庆双掺CeYAG晶体报价

CeYAG晶体的激光照明系统，包括蓝光半导体激光器，光学耦合透镜组。北京双折射CeYAG晶体供应

CeYAG单晶与陶瓷的发光性能，制备了不同Ce~(3+)掺杂浓度(摩尔分数)的钇铝石榴石(YAG)单晶和陶瓷，并对激光激发CeYAG单晶和陶瓷的光通量、光电转换效率、显色指数及色温进行了研究。在电流为2.6A的激光激发下，Ce~(3+)掺杂浓度为0.3%的陶瓷的光通量较高，为617.2lm;Ce~(3+)掺杂浓度为0.5%的单晶的显色指数较高，为62，色温为5841K。在功率为2.61W、材料中心功率密度达10.8W·mm-2的激光激发下，CeYAG单晶和陶瓷的光转换均未达到饱和，对应的光-光转换效率均约为240lm·W-1。实验结果表明，在高功率密度激光激发下，陶瓷和单晶均适用于产生高亮度白光。北京双折射CeYAG晶体供应

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