北京国产CeYAG晶体厂家直供

我们采用温梯法生长了Ce:YAG 晶体，原料采用高纯 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化学式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生长方向 <111>，高纯 Ar 气氛，具体生长方法见第二章所述。如图 5-1，生长的晶体尺寸为Φ110×80mm，呈黄黑色，主要是由发热体质量欠佳造成的碳挥发物引起的。晶体*在放肩部位有两处小裂纹，外形绝大部分保持完整。生长出来的晶体经过高温空气退火 24 小时后，黑色基本消失。图 5-2 为晶体切片样品，样品经空气退火后加工，从图可见在晶体的中心位置仍有少量黑色物质，中心部分的碳污染无法消除说明退火不充分，经再次空气退火可完全消除。由应力仪下观察的结果来看，晶体中无明显应力，也没有因小面生长现象而产生的**，说明晶体生长过程中固液界面较平。CeYAG晶体是立方结构，并且很容易制造出透明的对称性很好的晶体。北京国产CeYAG晶体厂家直供

Ce：YAG晶体的硬度能达到多少？深剖Ce；YAG晶体，隶属于无机闪烁晶体。无机闪烁晶体发光中心的激发和发射过程包括从热化电子-空穴对到发光中心的能量转移和发光中心的激发和发射。电子空穴对的能量转移效率取决于电子空穴相对发光中心的空间分布。如果电子空穴靠近发光中心，其能量转移效率高；相反，能量传递效率低。这种情况下，电子和空穴往往被晶体中的杂质或晶格缺陷俘获，形成各种F-H色心对。同时，电子-空穴对在与晶格相互作用时也会产生自陷，比如离子闪烁晶体中经常出现的Vk中心，这个Vk中心在本征离子闪烁晶体的发光机制中起着重要作用。海南CeYAG晶体批发厂家CeYAG晶体能与硅光二极管有效耦合，耐高温不潮解，可在极端条件下应用。

采用提拉法生长CeYAG单晶，通过X射线衍射和激发发射光谱对其晶相结构和光谱特性进行了表征，研究了CeYAG单晶封装白光LED的较佳掺杂浓度.在455 nm蓝光激发下，CeYAG单晶的发射光谱可由中心波长526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的宽发射带(500650 nm)组成激发光谱由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2个激发峰组成Stokes位移为2448cm-1，Huang-Rhys因子为6.12.研究结果表明，CeYAG单晶中Ce离子掺杂浓度与封装的白光LED之间有对应关系，在650nm红粉调节下Ce离子较佳掺杂浓度范围为0.0340.066。

钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶体是优良的激光基质材料以及光学衬底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体已经广泛应用于工业、**医疗、以及科研等领域。特别是近二十年来，随着LD泵浦固体激光器的迅猛发展，国际上对Yb:YAG激光晶体又掀起研究高潮，出现了大量的文献报道。早期为了发展可调谐激光晶体，人们研究了Ce:YAG晶体的光学特性，由于存在严重的激发态吸收，使得Ce:YAG的研究停滞不前[。尽管1967年，Blasse已经发现Ce:YAG荧光粉[98]具有优良的闪烁性能，但是对其单晶的研究并没有受到足够的重视。新一代闪烁晶体在核医学影像诊断、安全检查、地质勘探、无损检测等各种射线的探测领域有着很多应用。

Ce:YAG闪烁晶体的研究概况钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶体是优良的激光基质材料以及光学衬底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体已经获得广泛应用。Ce:YAG晶体作为闪烁材料引起人们的注意则是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分别于1994年和1997年对Ce:YAG晶体的闪烁性能进行了较为系统的研究，并指出Ce:YAG晶体具有优良的闪烁性能。Ce:YAG具有快衰减（80ns）以及在530nm发射荧光，发光波长与硅光电二极管的探测灵敏区匹配，使得它可以应用于中低能量γ射线α粒子的探测等领域。CeYAG晶体的激光照明系统，包括蓝光半导体激光器，光学耦合透镜组。四川双折射CeYAG晶体加工

CeYAG晶体在小于500Kev的能量范围内不潮解，有望部分替代CsI:Tl闪烁晶体。北京国产CeYAG晶体厂家直供

闪烁晶体是在高能射线的前提下形成的，当高能射线或其它放射离子穿过一些晶体时，由于高能射线和放射离子的影响会让晶体发出亮光，这样的晶体就是我们所说的闪烁晶体。并不是所有的物质都能作为闪烁晶体，现阶段能够成为闪烁晶体的主要有卤化物、硅酸盐等几种分子。闪烁晶体一般都是用于各种射线、中子及高能粒子的检测，但经过多年的发展，闪烁晶体现在已经较多的应用于医学检测、物理学、安全检查、地址勘探等各个方面。希望以上的一些相关的介绍能够对你有一些帮助。北京国产CeYAG晶体厂家直供

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