广西人工CeYAG晶体公司

在Ce:YAG晶体中，Ce3离子以D2对称性取代Y3位。在晶体场的作用下，4f1电子构型的Ce3离子基态分裂为2F5/2和2F7/2双态，其5d能级分裂为5个子能级，比较低5d子能级离基态约22 000波。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。在可见光范围内可以观察到4个特征吸收峰，峰值波长分别为223nm、340nm、372nm和460nm，对应于Ce3离子从4f到5d的亚能级跃迁。在室温下，其荧光光谱为500纳米至700纳米的宽带光谱，峰值约为525纳米，对应比较低5d子能级至2F5/2基态能级。CeYAG闪烁晶体是将高能转换为可见光的一种典型光电转换材料。广西人工CeYAG晶体公司

CeYAG晶体色心和缺陷的伽马射线辐照研究，利用伽玛射线研究了Ce3+:Y3AlO12晶体的辐照色心缺陷，比较了采用提拉法和温梯法生长的Ce3+Y0Al5O12晶体中产生的不同色心缺陷，并利用吸收光谱，激发发射光谱和退火等方法分析了晶体中235nm和370nm色心吸收带的形成原因，指出晶体中的235nm吸收带由F+色心引起.进一步分析了YAG晶体的辐照，证实了370nm色心的来源，表明370nm吸收带与F-类色心相关。一直到1992年，Ce:YAG晶体才被提出用作闪烁材料而引起人们的兴趣。接着，Moszynski和Ludziejewski等人分别于1994年和1997年对Ce:YAG晶体的闪烁性能进行了较为系统的研究，并指出Ce:YAG晶体具有优良的闪烁性能。 甘肃双折射CeYAG晶体作用CeYAG晶体是一种重要的具有优良闪烁性能的闪烁晶体。

当光线与闪烁晶体相互作用时，晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。假设电子空穴对转化为闪烁光子的效率为(与从电子空穴对到发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率有关)，可以得出：无机闪烁晶体的光输出主要与晶体成分(，Eg)、电子空穴向发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率()有关。NaI:Tl闪烁晶体具有比较大光输出(约48，000 ph/mev)。将其他无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较得到的相对值(%NaI(Tl))称为“相对光输出”。相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。

闪烁晶体的本质是一种能量转换器，所以能量转换效率()是表征所有闪烁晶体0基本的参数，是指闪烁晶体辐射的光子能量(Ep)与闪烁晶体吸收的总能量(er)之比。闪烁晶体发射光子的平均能量是发射的闪烁光子数。光输出(LR)是反映闪烁体晶体，能量转换效率的重要的物理参数，是指闪烁体吸收并消耗1mV射线能量后发出的可见/紫外光子数。即闪烁过程中产生的闪烁光子数与闪烁晶体中光线或粒子损失的能量之比。除了熔点温度高（1970oC）外， Ce:YAG晶体中存在的主要缺点是Ce离子在晶体中的分布不均匀，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)离子的半径相差较大，其分凝系数较小（~ 0.1）造成的。CeYAG单晶是一种综合性能优良的快衰变闪烁材料。

白光LED用新型YAG单晶荧光材料的制备和光谱性能研究，采用提拉法生长Eu，CeYAG晶体及Gd，CeYAG晶体，并通过吸收光谱，激发，发射光谱及电光性能等对晶体材料的光谱特性进行表征.结果表明，Eu或Gd共掺杂的CeYAG单晶荧光材料均可以被波长460nm左右的蓝光芯片有效激发，产生一个范围为480~650 nm的宽峰发射。Eu3或Gd3共掺杂会对Ce3离子的发光产生影响Eu3离子的掺杂，会对Ce3离子的发光产生淬灭效应。Ce：YAG晶体常规尺寸是多少？由于Ce离子分凝系数小，通常在提拉法生长Ce:YAG的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。闪烁晶体是在高能射线的前提下形成的。广西人工CeYAG晶体公司

提拉法生长Ce:YAG晶体?广西人工CeYAG晶体公司

CeYAG晶体，属于无机闪烁体。无机闪烁晶体研究的真正前奏始于半个世纪前罗伯特霍夫斯塔德发现NaI(Tl)单晶的优异闪烁性能。经过半个多世纪的发展，无机闪烁晶体不但发现了性能优异的闪烁晶体，如BGO、铯：Na、钡F2、PWO和铈Ce:LSO等，而且极大地拓展了闪烁晶体在高能物理和核物理、医疗、安检、工业等领域的应用[2]-[12]；此外，无机闪烁晶体[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的闪烁机制不断得到改进和发展，为改进现有闪烁体和寻找性能更好的新型无机闪烁晶体提供了坚实的理论基础。广西人工CeYAG晶体公司

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