山东双掺CeYAP晶体材料

时间:2022年10月09日 来源:

Ce: YAG 闪烁晶体的生长参数:根据Ir坩埚的尺寸以及热场条件,通过观察YAP熔体对流状态,本论文选择晶体转速为10-20RPM;考虑到Ce离子在YAP晶体中的分凝系数较大(约为0.5)和晶体的尺寸(Φ55mm),实验中选用了1-2mm/h的提拉速度。生长流程:装炉→抽真空→充气→升温化料→烤晶种→下种→缩颈→生长→提拉→降温→取出晶体进行退火。在装炉时,为了保证炉体内径向温度轴对称分布,线圈中心、石英管中心、坩埚中心及籽晶中心应该保持一致。晶体吸收高能射线后,晶体内部产生大量的热化电子空穴对。山东双掺CeYAP晶体材料

有人计算过YAP晶体的能带结构[77,78]。结果表明,该氧化物晶体的价带顶端由未结合的O2-离子组成,而价带he心主要由O2-离子的2S能级和Y3离子的4P能级的混合物组成。导带底部主要由Y3离子的4d和5S轨道组成,而Al3的3d能级在导带中占据较高的能级位置。YAP晶体的禁带宽度为7.9 eV,主要由Y-O相互作用决定,而不是Al-O相互作用。文献[26]中也报道了YAP晶体的带隙为8.02 eV。由于YAP晶体结构的各向异性,很难获得高质量的晶体,但由于其广阔的应用前景,人们对YAP晶体的生长过程做了大量的探索和研究。新型CeYAP晶体厂家CeYAP是一种性能优良的快闪烁晶体,它拥有较高的光输出、快的衰减时间。

作为自由离子,Ce3的4f和5d能级差为6.134 eV (202nm/49340cm-1) [14]。在晶体场的作用下,4f和5d之间的能级距离普遍减小。晶体场力越大,能级间距越小。从前面的讨论可以看出,4f能级在内层被屏蔽,基本不受晶场影响。5d态被晶体场分裂,导致4f和5d能级重心距离缩短。P. Dorenbos认为,晶体场引起的5d能级分裂程度取决于Ce3周围阴离子多面体的大小和形状[15]。基于Ce3离子以上独特的能级结构和发光特性,以Ce3离子为激发离子的无机晶体一般光输出高,衰减时间快,更适合作为闪烁晶体。 常规尺寸CeYAP晶体量大从优CeYAP晶体一般常规浓度是多少?

比较了掺杂不同价离子对Ce: YAP晶体自吸收的影响。发现二价离子对Ce: YAP晶体的闪烁性能有很强的负面影响,而四价离子有助于提高晶体的闪烁性能。还研究了锰离子掺杂对Ce: YAP晶体性能的影响。利用温度梯度法,生长了直径为110毫米的Ce: YAG闪烁晶体,该晶体具有良好的形状和光学性质。研究了不同温度和气氛等退火条件对Ce: YAG(TGT)闪烁晶体发光效率的影响,发现1100氧退火对提高晶体发光强度的效果比较好。在离子晶体中还观察到了一种新的内在发光:中心带上部和价带之间的跃迁,简称为中心-价带跃迁。这种发光跃迁衰减时间快(子纳秒级),但光输出低。由于YAP晶体热膨胀系数和热导率的轴向差异,除了选择合适的籽晶外,选择合适的温度场环境更为重要。

从Ce3+ 离子2F7/2和2F5/2 态能级在YAP 晶体中的能级分裂看,2F7/2能级在晶体场中分裂的子能级宽度对应波数范围为3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 态能级分裂的子能级宽度范围为500 cm-1左右, 5d比较低能级的对应波数为33000 cm-1。可以得到Ce3+ 在YAP基质中激发谱(d-f 跃迁)的比较低能级跃迁的波长为336.1nm(29750 cm-1),因此316nm的激发峰成分虽然发光波长比较偏红光方向,但仍在允许范围内。当激发波长从294nm(34013cm-1)到316nm(31645 cm-1)变化时,各子能级都有可能被激发,且不同能量激发时各子能级之间的跃迁强度比可能会有所差别。我国生长的Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题,直接影响晶体的发光效率。新型CeYAP晶体厂家

CeYAP等被认为是新一代高性能无机闪烁晶体。山东双掺CeYAP晶体材料

为了保护铱坩埚,减少铱金损耗,我们先将炉膛抽真空至气压约为10-3Pa,然后充高纯氩气或氩氢混合作为保护气氛,炉内气压约为0.025Mpa。开中频电源升温至原料全部熔化,在此过程中打开晶转,以使炉内温度分布均匀。待原料全部熔化后,仔细观察熔体液流状态,准备下种。条件允许情况下,可适当提高炉内温度,使原料保持过热状态一段时间,通过自然对流使熔体进一步混合均匀。下种前调整功率,使熔体温度在晶体熔点附近(1875oC左右),并保持恒温,同时缓慢下降籽晶到液面附近。观察液流线流动情况,并在固液界面附件进行烤种约30分钟之后,将籽晶与熔体接触,并连续观察籽晶变化,使保持籽晶既不熔掉又不长大半小时左右,并且光圈亮度保持稳定。山东双掺CeYAP晶体材料

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