吉林专业CeYAP晶体

用温梯法成功生长了直径为 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 闪烁晶体，晶体具有良好的外形和光学性质。研究了不同温度和气氛等退火条件对 Ce: YAG（TGT）闪烁晶体发光性能的影响，发现1100℃ 氧气退火对提高晶体的发光强度具有比较好效果，发光强度提高了近60%。并初步分析了 Ce: YAG（TGT）闪烁晶体存在的缺陷以及其对晶体的发光性能和闪烁时间的影响。测试了大尺寸 Ce: YAG 闪烁晶体的相对光输出、γ射线灵敏度与DD中子灵敏度、γ射线相对能量响应等性能，结果表明温梯法生长的Ce: YAG 晶体在高能射线和中子探测方面具有较大的应用价值。 陕西CeYAP晶体供应YAP中形成色心的另外一种可能原因是晶体中存在杂质离子.1991年，Baryshevky等人用水平区熔法生长了Ce:YAP闪烁晶体。吉林专业CeYAP晶体

从Ce3+ 离子2F7/2和2F5/2 态能级在YAP 晶体中的能级分裂看，2F7/2能级在晶体场中分裂的子能级宽度对应波数范围为3250 cm-1到2085cm-1, 2F5/2 态能级分裂的子能级宽度范围为500 cm-1左右， 5d比较低能级的对应波数为33000 cm-1。可以得到Ce3+ 在YAP基质中激发谱(d-f 跃迁)的比较低能级跃迁的波长为336.1nm（29750 cm-1），因此316nm的激发峰成分虽然发光波长比较偏红光方向，但仍在允许范围内。当激发波长从294nm（34013cm-1）到316nm（31645 cm-1）变化时，各子能级都有可能被激发，且不同能量激发时各子能级之间的跃迁强度比可能会有所差别。河北国产CeYAP晶体供应商CeYAP晶体生长流程：装炉、抽真空、充气、升温化料、烤晶种、下种、缩颈、生长、提拉、降温、退火。

为了研究过渡金属可能对Ce: YAP晶体性能的影响，我们生长了Mn 离子掺杂的Ce: YAP 晶体，并与Mn: YAP和Ce: YAP 晶体进行了比较。选用Mn 离子一是由于Mn 对YAP 晶体的吸收谱影响很大；二是M. A. Noginov等人将Ce离子掺入Mn: YAP中来获得三价Mn离子[113]，Ce3+离子可以为Mn4+ 离子提供一个电子，使其变成三价：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 对Ce离子价态变化的影响；而且Mn离子和Ce离子之间可能存在能量传递过程，对研究Ce: YAP晶体的闪烁性能会有一些参考作用。

为了了解过渡金属掺杂对Ce: YAP自吸收可能产生的影响，我们对比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等过渡金属掺杂的纯YAP晶体的透过谱。由此可见，Mn掺杂YAP在480nm处有明显吸收峰，Cu 掺杂则在370nm左右存在吸收峰，Fe掺杂YAP并将在下节讨论。我们生长的Ce: YAP 在350nm到500nm范围内不存在额外吸收峰，少量过渡金属离子的存在对吸收只会造成线性叠加影响, 且低浓度吸收并不足以造成Ce: YAP晶体的自吸收，因此过渡金属离子污染造成Ce: YAP吸收带红移可能性不大。我国生长的Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。

一般来说，闪烁体可以分为有机闪烁体(如萘和蒽)和无机闪烁体。Ce:YAP作为闪烁晶体的真正研究始于T. Takada等人(1980)和R. Autrata等人(1983)的提议以及YAP晶体作为扫描电镜电子射线和紫外光子检测的研究。1991年，Baryshevky等人用水平区熔法生长了Ce:YAP闪烁晶体，然后研究了不同方法生长的Ce:YAP晶体的光学和闪烁性质。1995年，Tetsuhiko等人总结并重新研究了Ce:YAP晶体的光学特性。此后，大量文献报道了Ce:YAP晶体的闪烁性质和应用，并对其闪烁机理进行了大量深入的研究工作。由于Ce:YAP高温闪烁晶体具有优异的闪烁性能和独特的物理化学性质，因此Ce:YAP高温闪烁晶体可广泛应用于相机、动物PET、SEM等检测领域。分析CeYAP晶体的自吸收机制，发现Ce4离子有一个电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。河南CeYAP晶体现货

晶体吸收高能射线后，晶体内部产生大量的热化电子空穴对。吉林专业CeYAP晶体

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