重庆双掺CeYAG晶体加工

CeYAG晶体和透明陶瓷的光学和闪烁性能，采用温梯法生长了CeYAG晶体和真空烧结法制备了CeYAG透明陶瓷，并对晶体和透明陶瓷的光学和闪烁性能进行了对比研究.CeYAG晶体和陶瓷都具有位于230，340和460nm波段的Ce3+离子的特征吸收带和540nm附近的发射峰，但CeYAG晶体同时存在296和370nm的色心吸收，其发射峰位于398nm，而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶体和陶瓷的X射线荧光中均存在520nm附近的Ce3+离子发射，但晶体中还存在由反格位缺陷引起的300nm的发射.CeYAG晶体和陶瓷的光产额分别为16800和9800photons/MeV，纳秒灯激发下的荧光寿命分别为61.9和62.97ns.CeYAG晶体与陶瓷相比，具有高的光产额和快的荧光衰减特性。无机闪烁体是一种能将高能射线(X/射线,入射到其上的)或粒子转化为紫外光或可见光的晶体能量转换器。重庆双掺CeYAG晶体加工

从宏观上看，直拉法可以生长出完整透明的Ce:YAG闪烁晶体。然而，用提拉法很难获得大尺寸、高质量的Ce:YAG闪烁晶体。一方面，提拉法生长的晶体尺寸直接受到所用铱坩埚尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)离子的半径相差较大，且Ce离子在YAG晶体中的偏析系数很小(~ 0.1)，在提拉法生长后期往往会发生成分过冷，严重影响Ce:YAG晶体的质量。为了克服提拉法生长的大尺寸、高质量的碳：钇铝石榴石闪烁晶体的缺点，我们第1次用温度梯度法(TGT)成功地生长了一种三英寸的碳：钇铝石榴石高温闪烁晶体超薄片CeYAG晶体订做价格研究表明，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。重庆双掺CeYAG晶体加工深剖Ce；YAG晶体，隶属于无机闪烁晶体。

利用提拉法生长出的品质高的CeYAG闪烁晶体开展了高分辨率X射线成像系统关键器件——闪烁体研制工作，成功制备了尺寸为Φ30mm，厚度为30-45μm的品质高的闪烁晶体元件，并研制出基于超薄CeYAG闪烁晶体的高分辨X光探测器，实现X光辐照条件下高分辨成像。CeYAG作为闪烁晶体，具有高的发光效率和宽的光脉冲，并且它的发光峰(550nm)能很好的与光电二极管的灵敏波长配合，适合于在用光电二极管作为光探测器和探测轻带电粒子时使用。且不潮解、耐高温、热力学性能稳定，可以应用于极端的探测环境中。

一种生长CeYAG单晶荧光材料的方法技术，坩埚下降法生长CeYAG单晶荧光材料的方法。该晶体化学式为：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种；B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种。晶体生长炉温范围1900～2000℃，坩埚下降方向固液界面的温度梯度为10～50℃/cm，坩埚下降速率为0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩埚直径为30～120mm，高度为50～200mm。本发明专利技术采用坩埚下降法具有操作简单，成本低，生长的CeYAG晶体体积大、内部缺陷少、掺杂浓度高等优点。CeYAG晶体的良好的温度机械性能有利于制备出低于0.005mm厚度的超薄成像屏。

在Ce:YAG晶体中，Ce3离子以D2对称性取代Y3位。在晶体场的作用下，4f1电子构型的Ce3离子基态分裂为2F5/2和2F7/2双态，其5d能级分裂为5个子能级，比较低5d子能级离基态约22 000波。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于F-D跃迁，具有宽带、衰减快的特点。在可见光范围内可以观察到4个特征吸收峰，峰值波长分别为223nm、340nm、372nm和460nm，对应于Ce3离子从4f到5d的亚能级跃迁。在室温下，其荧光光谱为500纳米至700纳米的宽带光谱，峰值约为525纳米，对应比较低5d子能级至2F5/2基态能级。Ce:YAG闪烁晶体具有比较大光输出。四川大尺寸CeYAG晶体规格

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Ce:YAG闪烁晶体的主要应用在哪里？高温闪烁晶体今后的发展趋势主要包括以下几个方面：1、寻求优化的高温闪烁晶体生长方法以及工艺技术。目前，多数高温闪烁晶体主要是通过提拉法生长的，探索改进的提拉法或其它的工程化生长工艺技术对研究开发高温闪烁晶体具有十分重要的意义。2、开展多掺杂以及探索新型发光离子的高温闪烁晶体也会逐步受到人们的重视。随着探测器件的小型化多功能化的迅猛发展，具有多种探测功能的复合闪烁探测单晶材料将会成为一个研究热点。另外，探索其它发光中心离子的闪烁性能也将会逐步引起人们的关注，特别对能与现有的探测设备耦合匹配，容易掺杂等激发离子的研究。重庆双掺CeYAG晶体加工

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