黑龙江国产CeYAP晶体元件

闪烁现象是指粒子束或射线作用于某种物质产生的脉冲光。它更重要的特点是发出的光具有极快的衰减时间。具有这种性质的材料称为闪烁体或闪烁材料。利用荧光物质的发光现象来记录核辐射早就开始了。长期以来，闪烁体作为一种非常重要的电磁量热仪材料，在高能物理、核医学成像、核技术和工程中得到了普遍的应用。自从我们使用闪烁材料探测辐射以来，已经将近一个世纪了。在本世纪，一些重要的闪烁材料因其商业应用前景而得到广泛应用，或者因其优异的性能而在科学研究中得到普遍关注和发展。我们生长的Ce: YAP 在350nm到500nm范围内不存在额外吸收峰。黑龙江国产CeYAP晶体元件

铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。生长CeYAP晶体推荐货源闪烁材料的发展历史可以大致分为几个阶段？首先，用提拉法生长大尺寸Ce: YAP晶体，包括改进生长设备和调整生长工艺。因为以前的生长工艺不适合生长大尺寸的Ce: YAP晶体，尤其是晶体形状、肩部和等径部分不能得到有效控制，影响晶体质量。为了解决存在的问题，我们改进了晶体生长炉的功率控制系统和重量传感系统，重新设计了坩埚和保温罩，并对温度场过程进行了适当的探索。黑龙江国产CeYAP晶体元件Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。

YAP晶体的生长过程：(1)籽晶：的选择籽晶的走向和质量直接影响直拉晶体的质量。对于YAP单晶，由于其严重的各向异性，B轴的热膨胀系数远大于A轴和C轴(A:4.2 10-6 oc-1，B:11.7 10-6 oc-1，C:5.1 10-6 oc-1)，在生长过程中容易产生结构应力和相应的热应力。这些热应力也为了减少这种影响，我们选择了《100〉中的YAP 籽晶，〈010〉中的〈001〉中的〈101〉中的〈籽晶尺寸为8 50mm(2)热场的选择：由于YAP晶体热膨胀系数和热导率的轴向差异，除了选择合适的籽晶外，选择合适的温度场环境更为重要。由于钙钛矿结构的YAP晶体的孪晶习性很容易揭示，为了克服孪晶的形成，需要在固液界面和整个生长室中形成合适的温度梯度。

过渡金属离子掺杂对YAP晶体透射边缘的影响，由于过渡金属离子D层具有更多的电子能级，容易受到晶场的影响，因此YAP晶体中可能存在更多的吸收带。为了了解过渡金属掺杂对Ce: YAP自吸收的可能影响，我们比较了掺杂过渡金属如铜(0.5%)、铁(0.5%)和锰(0.5%)的纯YAP晶体的透射光谱。从图4-11可以看出，Mn掺杂的yap在480nm处有明显的吸收峰，而Cu掺杂的YAP在370nm左右有吸收峰，Fe掺杂的YAP将在下一节讨论。我们生长的Ce: YAP在350nm ~ 500nm范围内没有额外的吸收峰，少量过渡金属离子的存在只会对吸收产生线性叠加效应，低浓度吸收不足以引起Ce: YAP晶体的自吸收，因此过渡金属离子污染不太可能引起Ce3360Yap吸收带红移。同时，GDMS分析结果还表明，我们生长的Ce: YAP晶体中过渡金属的含量小于10ppm，对晶体发光的影响可以忽略不计。CeYAP作为闪烁晶体，用水平区熔法生长了CeYAP闪烁晶体。

为了研究过渡金属可能对Ce: YAP晶体性能的影响，我们生长了Mn 离子掺杂的Ce: YAP 晶体，并与Mn: YAP和Ce: YAP 晶体进行了比较。选用Mn 离子一是由于Mn 对YAP 晶体的吸收谱影响很大；二是M. A. Noginov等人将Ce离子掺入Mn: YAP中来获得三价Mn离子[113]，Ce3+离子可以为Mn4+ 离子提供一个电子，使其变成三价：Ce3+ + Mn4+ → Ce4+ + Mn3+，正好研究Mn 对Ce离子价态变化的影响；而且Mn离子和Ce离子之间可能存在能量传递过程，对研究Ce: YAP晶体的闪烁性能会有一些参考作用。1995年，Tetsuhiko等人总结并重新研究了Ce:YAP晶体的光学特性。黑龙江国产CeYAP晶体元件

CeYAP作为一种高温闪烁晶体，具有良好的机械加工性能。黑龙江国产CeYAP晶体元件

紫外线照射对Ce: YAP晶体自吸收的影响，我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出，随着辐照时间的增加，Ce: YAP样品的吸收边发生红移，样品在254nm处的吸收系数也相应增加。退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响，据报道，Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98，99]，纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性，我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较，我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。黑龙江国产CeYAP晶体元件

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