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由于大尺寸HgCdTe FPA探测器的制作成本居高不下,QWIP FPA探测器被寄予厚望,因而发展迅速。在LWIR波段,目前QWIP FPA探测器的性能足以与**的HgCdTe相媲美。QWIP也存在一些缺点:因存在与子带间跃迁相关的基本限制,QWIP需要的工作温度较低(一般低于液氮温度),QWIP的量子效率普遍很低。一般而言,PC探测器的响应速度比PV慢,但QWIP PC探测器的响应速度与其它PV红外热像仪相当,所以大规模QWIP FPA探测器也被研制了出来。与HgCdTe—样,QWIP FPA探测器也是第三代IR成像系统的重要成员,这类探测器在民用与天文等领域都有着大量的使用案例。作为**成熟、***的电力在线检测手段,红外热像仪可以**提高供电设备运行可靠性。上海红外热像仪批发价格
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料。与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段。HgCdTe探测器在NIR、MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主。然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位。OPTPI230红外热像仪口碑好红外热像仪是否可以用于医学诊断和疾病筛查?
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但这样也会使量子效率降低;为维持高量子效率,需提高摻杂浓度,而如此一来又会导致暗电流激增,严重破坏探测器性能。BIB探测器是解决以上困境的比较好解。BIB探测器是传统非本征探测器在结构上的一种巧妙升级,即在吸收层与一侧电极之间引入一层高纯度的本征基底材料作为阻挡层来抑制暗电流,这样可以保证在吸收层掺杂浓度**增加的同时,暗电流也能维持在很低的水平。不仅如此,掺杂浓度的增加也拓宽了探测器的响应范围。关于红外热像仪芯片材料体系介绍就到这儿,对半导体感兴趣的同学,欢迎阅读其他文章!红外热像仪的分辨率对图像质量有何影响?
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