XB5352G电源管理ICNTC充电管理

时间:2024年02月18日 来源:

XA6206丝印:54IK65X254JAXD2854HH54FK5BGJ5BHJ5BFE5BJC65T25BJF5AGJ65K565E9APJA65Z5662K662259FH59JH59I659GC6206AAAB66S652S65165EG65T365X865X265ZD6621662G低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器,它与三端稳压器的不同点在于,低压差线性稳压器(ldo)是一个自耗很低的微型片上系统(soc)。它可用于电流主通道控制,芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet,取样电阻和分压电阻等硬件电路,并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片,具有功能全、集成度高,外部电路简单,调节方便。XB5352G电源管理ICNTC充电管理

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ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XB8789D0电源管理IC赛芯微xysemiXySemi 锂电保护板生产操作注意事项1。

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DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源,但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性,使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容,这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题,进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法,为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值,半导体工艺变得极为复杂,使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法,因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积,不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件,而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案,要么需要CSP(芯片尺寸级封装)型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程,使得制作工程复杂,带来了产生成本上升的课题。

赛芯微XBL6015-SM二合一锂电保护,集成MOS,支持船运模式,关机电流低至1nA。 XB6015-SM的特点: 1.低功耗,工作电流0.4uA,关机电流1nA; 2.更贴近应用的保护电流,充电过流300mA,放电过流150mA,短路电路450mA; 3.高集成度,集成MOS,支持船运模式,集成虚焊保护功能; 4.高可靠性,支持充电器反接功能,支持带负载电芯防反接功能,ESD 8KV; 5.更好的匹配性,锂电保护无管压降,可以支持不同类型的充电芯片; 6.系列化,支持4.2-4.5V的电芯平台。适用范围:适用于标称电压3.7V,充满电压4.2V的锂电池。2组电池的容量/内阻越接近越好!

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赛芯微磷酸铁锂电池保护芯片。XB5352G电源管理ICNTC充电管理

解决方案概要 标称电压2.2~2.4V的锂二次电池和全固态电池具有以下特点,也适合于工业设备的备份用途、可穿戴设备及Smartcard等。 可使用LDO进行恒压充电可能。(无需的高价CV/CC充电IC) 耐过放电,可用于简单的放电检测 因为是电池,所以能长时间维持恒定电压 比起电压直线下降的Supercap,能更简单、有效地提取能量 也有70℃、105℃等高温对应产品 也有回流对应 / 热层压加工对应品 关于充电用LDO 因二次电池的大容量成为负载,所以低消耗稳压器适合于LDO。 充电时 可在充电状态下使用。 充电后,电池电压短期内上升到LDO的输出电压之后,会逐渐充电。 无需满充电检测,在满充电后,一般无需关闭稳压器。 使用时 可在充电状态下使用。 VIN没有电压时,为了不白白消耗储存在二次电池中的能量,需要防止回流到VIN及使LDO处于待机状态。 在本电路框中,在用SBD防止回流的同时,通过连接到SBD阳极侧的下拉电阻,成为LDO的CE=“L”,稳压器将处于待机状态。 由此,可从二次电池将消耗电流抑制为稳压器VOUT引脚的微小电流。(称为“VOUT SINK电流”)XB5352G电源管理ICNTC充电管理

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