XM5062SADJ电源管理IC磷酸铁锂充电管理

成组的磷酸铁锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。而现有的单节锂电池保护芯片均不含均衡充电控制功能，多节锂电池保护芯片均衡充电控制功能需要外接CPU;通过和保护芯片的串行通讯来实现，加大了保护电路的复杂程度和设计难度、降低了系统的效率和可靠性、增加了功耗。 磷酸铁锂电池还是需要保护板的，成组锂电池串联充电时，应保证每节电池均衡充电，否则使用过程中会影响整组电池的性能和寿命。基于磷酸铁锂电池组均衡充电保护板的设计方案，常用的均衡充电技术包括恒定分流电阻均衡充电、通断分流电阻均衡充电、平均电池电压均衡充电、开关电容均衡充电、降压型变换器均衡充电、电感均衡充电等。电流采样，连接 USB-C口采样电阻的负端。XM5062SADJ电源管理IC磷酸铁锂充电管理

如韵电子有限公司总部位于上海张江高新产业园嘉定园，并在香港设有研发中心，在深圳设有分公司。2004年创立以来，如韵电子一直采用 Fabless 运作模式 , 拥有强大的研发和销售团队，专注于模拟集成电路的设计、应用和销售，并始终处于技术创新的前沿。如韵产品的生产委托国内的晶圆代工厂、封装厂和测试工厂完成，产品全部实现国产化，并且符合ROHS标准，及各种国际质量体系认证。 公司凭借雄厚的技术实力 , 已经开发出具有自主知识产权的产品类型有：电压检测与复位芯片、充电管理芯片、LED驱动芯片、直流 - 直流转换芯片、低压差线性电压调制芯片、放大器/比较器芯片、温度开关芯片、电池放电管理芯片、模块和MOSFET等。经过市场开拓和发展，在华北、华东、华南、西南等地区拥有庞大的销售网络，几十家专业代理商与我们建立了长期合作关系。XC3098VYP电源管理IC拓微电子实际应用中，NTC 热敏电阻通常置于 PCB 上发热元件附近。

锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管：它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路)，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。

一个是防止充电器的浪涌，与10uF电容一起做RC滤波，保护充电管理. 对充电器频繁热插拔的高压浪涌、对目前市场上的各种参差不齐的手机充电器，加这个电阻对产品的可靠性增加，从某种程度上说有一点系统TVS的效果。 所以这个电阻的功率稍微留点点余量。 二个是可以起到分压的作用，因为是线性充电，如果电池电压3.3V，这时充电处于快充阶段（设定450mA），如果输入5V，芯片自身将产生（5-3.3）*0.45=765mW的热量，芯片太烫，充电电流就会变得小些。而如果加0.5ohm电阻，该电阻将产生0.225V的压降，将能降低一些芯片的功耗，进而降低芯片温度，使得芯片可以保证以设定的450mA持续快速充电。但这个电阻不能大，因为如果大，上面产生的压差大，会影响电池电压4V以上时的快速充电，也会影响充电器输入电压偏低时仍然能以较大电流快速充电。在锁定状态，必须要有充电动作才能使能芯片功能。

5号（AA）7号（AAA）电池也就是我们常用的电池，以南孚，金霸王，555等品牌被大家熟知。市场上主要以碱性电池为主，输入的电压是1.5V。其主要特点就是方便快捷以及价格低廉。其缺点也是非常明显：碱性电池是一次性电池，因其化学特性使用后易被丢弃后对土壤的污染是非常严重；另外长时间放置容易因受潮或者氧化原因造成化学原料漏液造成对电子产品的化学损坏，轻则氧化电池触点无法使用（可简单修复），重则直接损坏电子产品致报废或者短路引起起火都有可能。XS5502 XS5301 XS5306 XS5802可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。XB5358D0电源管理ICNTC充电管理

电池电压可配置，可选 4.2/4.3/4.4/4.45V 电池。XM5062SADJ电源管理IC磷酸铁锂充电管理

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XM5062SADJ电源管理IC磷酸铁锂充电管理