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且设计技术及生产工艺在国内外均已成熟和标准化，并已得到用户的认可，但AC/DC的模块化，因其自身的特性使得在模块化的进程中，遇到较为复杂的技术和工艺制造问题。另外，开关电源的发展与应用在节约能源、节约资源及保护环境方面都具有重要的意义。开关电源中应用的电力电子器件主要为二极管、IGBT和MOSFET、变压器。SCR在开关电源输入整流电路及软启动电路中有少量应用，GTR驱动困难，开关频率低，逐渐被IGBT和MOSFET取关电源的发展方向是高频、高可靠、低耗、低噪声、抗干扰和模块化。开关电源由于开关电源轻、小、薄的关键技术是高频化，因此国外各大开关电源制造商都致力于同步开发新型高智能化的元器件，特别是改善二次整流器件的损耗，并在功率铁氧体材料上加大科技创新，以提高在高频率和较大磁通密度（Bs)下获得高的磁性能，而电容器的小型化也是一项关键技术。SMT技术的应用使得开关电源取得了长足的进展，在电路板两面布置元器件，以确保开关电源的轻、小、薄。开关电源的高频化就必然对传统的PWM开关技术进行创新，实现ZVS、ZCS的软开关技术已成为开关电源的主流技术，并大幅提高了开关电源的工作效率。对于高可靠性指标。120W,AC/DC单路输出开关电源,裸板电源,12-48VDC输出。北京裸板电源**知识

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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。

电气隔离装置包括压电变压器。在一个实施例中，所述原边功率开关q1包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet，所述功率mosfet具有体二极管和寄生电容。在其他实施例中，所述原边功率开关q1还可以包括其他开关器件，如可以采用bjt、igbt等。在一个实施例中，所述副边开关电路101包括：功率开关器件(如功率mosfet)，该功率开关器件具有体二极管，如图2左图(a)所示；或者所述副边开关电路101包括并联的两个(或多个)开关器件，如图2中间图(b)所示；或者所述副边开关电路101还可以包括并联的二极管和开关器件，如图2右图(c)所示。在一个实施例中，副边开关电路101被导通表示副边开关电路101的全部或者部分开关器件导通(如有二极管或者体二极管导通)，其上流过电流；副边开关电路101被断开，表示副边开关电路101的全部开关器件被断开，其上无电流流过。如在原边功率开关q1被断开后，副边开关电路101执行续流动作时，副边开关电路101的部分或者所有开关器件导通，其上流过具有***电流方向的电流；在续流结束后、原边功率开关q1导通前，副边开关电路101的部分或者所有开关器件被导通一段时间，并流过具有第二电流方向的电流。在一个实施例中。裸板电源在上海比较专业的工厂有哪些？

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