制造裸板电源

这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。120W,AC/DC单路输出开关电源,裸板电源,12-48VDC输出。制造裸板电源

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电气隔离装置包括压电变压器。在一个实施例中，所述原边功率开关q1包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet，所述功率mosfet具有体二极管和寄生电容。在其他实施例中，所述原边功率开关q1还可以包括其他开关器件，如可以采用bjt、igbt等。在一个实施例中，所述副边开关电路101包括：功率开关器件(如功率mosfet)，该功率开关器件具有体二极管，如图2左图(a)所示；或者所述副边开关电路101包括并联的两个(或多个)开关器件，如图2中间图(b)所示；或者所述副边开关电路101还可以包括并联的二极管和开关器件，如图2右图(c)所示。在一个实施例中，副边开关电路101被导通表示副边开关电路101的全部或者部分开关器件导通(如有二极管或者体二极管导通)，其上流过电流；副边开关电路101被断开，表示副边开关电路101的全部开关器件被断开，其上无电流流过。如在原边功率开关q1被断开后，副边开关电路101执行续流动作时，副边开关电路101的部分或者所有开关器件导通，其上流过具有***电流方向的电流；在续流结束后、原边功率开关q1导通前，副边开关电路101的部分或者所有开关器件被导通一段时间，并流过具有第二电流方向的电流。在一个实施例中。

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