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开关元件q1～q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1～q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1～q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1～q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1～t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压，并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间，另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示，二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外，分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成，而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。裸板电源打高压是输入对输出打3750v还是输入对外壳是1.5KV?山西裸板电源模块

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直至电流为零，续流的电流方向为***电流方向；而在续流结束后、原边功率开关被再次导通前，副边开关电路被导通一段时间，流过副边开关电路的电流方向为与***电流方向相反的第二电流方向。根据本发明的实施例，还提出了一种用于开关电源电路的副边控制电路，所述开关电源电路具有耦接在原边侧的原边功率开关和耦接在副边侧的副边开关电路，所述副边控制电路包括：***副边信号产生器，检测流经副边开关电路的电流，当检测到副边开关电路流过电流时，所述***副边信号产生器控制副边开关电路导通，直至流过其上的电流为零；第二副边信号产生器，当流过副边开关电路电流到零后、原边功率开关被导通前，所述第二副边信号产生器控制副边开关电路再次导通一段时间。根据本发明的实施例，还提出了一种用于开关电源电路的方法，所述开关电源电路包括：具有原边和副边的电气隔离装置、耦接至电气隔离装置原边的原边功率开关、以及耦接至电气隔离装置副边的副边开关电路，所述方法包括：在原边接收输入电压，通过控制原边功率开关和副边开关电路的导通与断开，在副边产生输出电压；反馈并处理输出电压，产生误差信号，并将该误差信号通过隔离反馈单元传送至原边。

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