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开关元件q1~q4的构成分别包括mosfet(metaloxidesemiconductor-fieldeffecttransistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)、igbt(insulatedgatebipolartransistor:绝缘栅双极型晶体管)等。图示例的开关元件q1~q4使用n沟道的mosfet。各开关元件q1~q4的栅极端子与驱动电路12连接。开关元件q1~q4基于来自驱动电路12的脉冲信号t1~t4进行驱动。变压器7a对已由全桥电路转换后的交流电压进行变压,并输出到整流电路8。变压器7a具有彼此绝缘的一次绕组l1和二次绕组l2。变压器7a根据一次绕组l1和二次绕组l2的绕组比ns/np来变更变压量。一次绕组l1的一端连接在开关元件q1和开关元件q2之间,另一端连接在开关元件q3和开关元件q4之间。如图1所示,二次绕组l2中形成将二次绕组l2的绕组数大致均等地一分为二的分支点ct。另外,分支点ct也可以不在将二次绕组l2的绕组数均等地一分为二的位置形成,而是以绕组数不同的方式形成分支点ct。二次绕组l2与整流电路8连接。整流电路8是将已由开关电路7转换后的交流电压转换为直流电压的电路。整流电路8的构成包括两个开关元件q5、q6(第二开关元件)。开关元件q5、q6的构成例如包括mosfet、igbt等。河南裸板电源厂家直销0-10V调光内置裸板电源。
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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗,以及开关过程中激起的振荡,使开关频率可以大幅度提高,为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管(MOSFET)是应用较多的开关器件,它有较高的开关速度,但同时也有较大的寄生电容。它关断时,在外电压的作用下,其寄生电容充满电,如果在其开通前不将这一部分电荷放掉,则将消耗于器件内部,这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗,功率场效应管宜采用零电压开通方式(ZVS)。绝缘栅双极性晶体管(InsulatedGateBipolartansistor,IGBT)是一种复合开关器件,关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗,如果在关断前使流过它的电流降到零,则可以显着地降低开关损耗,因此IGBT宜采用零电流(ZCS)关断方式。IGBT在零电压条件下关断,同样也能减小关断损耗,但是MOSFET在零电流条件下开通时,并不能减小容性开通损耗。谐振转换器(ResonantConverter,RC)、准谐振转换器(Qunsi-TesonantConverter,QRC)、多谐振转换器(Multi-ResonantConverter,MRC)、零电压开关PWM转换器(ZVSPWMConverter)、零电流开关PWM转换器(ZCSPWMConverter)、零电压转换(Zero-Voltage-Transition,ZVT)PWM转换器和零电流转换。裸板电源选衡孚,地址上海市松江区新加路258号!
开关元件q5连接在变压器7a的二次绕组l2的一端与负载侧输出端子3b之间。开关元件q6连接在变压器7a的二次绕组l2的另一端与负载侧输出端子3b之间。开关元件q5、q6的栅极端子与驱动电路12连接,且基于来自驱动电路12的脉冲信号t5、t6进行驱动。开关元件q5、q6在同步整流控制时与开关电路7同步地驱动,在非同步整流控制时与开关电路7单独地驱动。开关元件q5、q6对已利用开关电路7转换后的交流电压进行整流,并转换为直流电压。平滑电路9使整流电路8整流后的直流电压平滑化,并向负载3输出。平滑电路9的构成包括扼流线圈9a和电容器9b。扼流线圈9a串联连接在二次绕组的分支点ct与负载侧输入端子3a之间。电容器9b连接在负载侧输入端子3a与负载侧输出端子3b之间,且与扼流线圈9a并联连接。控制部10进行同步整流控制、中断控制、非同步整流控制的切换,并且对各开关元件q1~q6进行反馈控制。在同步整流控制中,整流电路8的开关元件q5、q6与开关电路7同步地驱动。在中断控制中,在从同步整流控制切换为非同步整流控制时,从基于通常占空比d的反馈控制替换(置换)成切换用占空比d′而控制开关电路7的驱动。在非同步整流控制时。裸板电源打高压是输入对输出打3750v还是输入对外壳是1.5KV?安徽裸板电源厂家
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