绝缘体上的硅键合机技术支持

时间：2021年12月30日来源：

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量，高产量环境中运行

盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断

技术数据：

晶圆直径（基板尺寸）

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型：平面到平面或凹口到凹口

对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°

结合力：蕞高5N

键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活

真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。绝缘体上的硅键合机技术支持

EVG®850TB临时键合机特征：

开放式胶粘剂平台；

各种载体（硅，玻璃，蓝宝石等）；

适用于不同基板尺寸的桥接工具功能；

提供多种装载端口选项和组合；

程序控制系统；

实时监控和记录所有相关过程参数；

完全集成的SECS/GEM接口；

可选的集成在线计量模块，用于自动反馈回路；

技术数据：

晶圆直径（基板尺寸）：蕞长300毫米，可能有超大的托架

不同的基材/载体组合

组态

外套模块

带有多个热板的烘烤模块

通过光学或机械对准来对准模块

键合模块：

选件

在线计量

ID阅读

高形貌的晶圆处理

翘曲的晶圆处理绝缘体上的硅键合机技术支持EVG键合机也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化的黏合剂，可选的键合室盖里具有UV源。

共晶键合［8，9］是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点，以其作为中间键合介质层，通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此，中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多，通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞低( 363 ℃ ) 的，但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身，可以降低键合工艺难度，且其液相粘结性好，故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与硅衬底的结合力较弱，故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力，同时钛也具有阻挡扩散层的作用，可以阻止金向硅中扩散［10，11］。

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。

特征：

在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用

通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成

支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底

BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据

晶圆直径（基板尺寸）：200、300毫米

蕞高数量或过程模块8通量

每小时蕞多40个晶圆

处理系统

4个装载口

特征：

多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块

XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现蕞高吞吐量

光学边缘对准模块：Xmax/Ymax=18µm3σ 晶圆级涂层、封装，工程衬底智造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。