高精密仪器光刻机参数
EVG101光刻胶处理系统的技术数据:可用模块:旋涂/OmniSpray®/开发分配选项:各种光刻胶分配泵,可覆盖高达52000cP的粘度;液体底漆/预湿/洗盘;去除边缘珠(EBR)/背面冲洗(BSR);恒压分配系统/注射器分配系统。智能过程控制和数据分析功能(框架软件平台)用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能,提高效率设备和过程性能跟宗功能:智能处理功能;事/故和警报分析/智能维护管理和跟宗晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米EVG已经与研究机构合作超过35年,可以深入了解他们的独特需求。高精密仪器光刻机参数
光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。EVG620光刻机有哪些应用EVG®620NT/EVG®6200NT掩模对准系统(自动化和半自动化)支持的晶圆尺寸:150mm/200mm。
EVG®610特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持ZUI新的UV-LED技术ZUI小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG®610技术数据:对准方式上侧对准:≤±0.5µm底面要求:≤±2,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±2,0µm
EVG增强对准:全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时,大间隙,晶圆平面或红外对准,在可编程位置自动定位。确保蕞好图形对比度,并对明场和暗场照明进行程序控制。先进的模式识别算法,自动原点功能,合成对准键模式导入和培训可确保高度可重复的对准结果。曝光光学:提供不同配置的曝光光学系统,旨在实现任何应用的蕞大灵活性。汞灯曝光光学系统针对150,200和300 mm基片进行了优化,可与各种滤光片一起用于窄带曝光要求,例如i-,g-和h-线滤光片,甚至还有深紫外线。光刻机在集成电路制造中有重要的作用,能实现高分辨率、高精度图案转移,是微纳米器件制造关键工艺设备。
这使得可以在工业水平上开发新的设备或工艺,这不仅需要高度的灵活性,而且需要可控和可重复的处理。EVG在要求苛刻的应用中积累了多年的旋涂和喷涂经验,并将这些知识技能整合到EVG100系列中,可以利用我们的工艺知识为客户提供支持。光刻胶处理设备有:EVG101光刻胶处理,EVG105光刻胶烘焙机,EVG120光刻胶处理自动化系统;EVG150光刻胶处理自动化系统。如果您需要了解每个型号的特点和参数,请联系我们,我们会给您提供蕞新的资料。或者访问岱美仪器的官网获取相关的信息。HERCULES对准精度:上侧对准:≤±0.5µm;底侧对准:≤±1,0µm;红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材。晶片光刻机供应商家
我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。高精密仪器光刻机参数
EVG®120--光刻胶自动化处理系统EVG
®120是用于当洁净室空间有限,需要生产一种紧凑的,节省成本光刻胶处理系统。
新型EVG120通用和全自动光刻胶处理工具能够处理各种形状和尺寸达200mm/8“的基板。新一代EVG120采用全新的超紧凑设计,并带有新开发的化学柜,可用于外部存储化学品,同时提供更高的通量能力,针对大批量客户需求进行了优化,并准备在大批量生产(HVM)中使用EVG120为用户提供了一套详尽的好处,这是其他任何工具所无法比拟的,并保证了ZUI高的质量各个应用领域的标准,拥有成本却非常低。 高精密仪器光刻机参数
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