熔融键合键合机保修期多久

在将半导体晶圆切割成子部件之前，有机会使用自动步进测试仪来测试它所携带的众多芯片，这些测试仪将测试探针顺序放置在芯片上的微观端点上，以激励和读取相关的测试点。这是一种实用的方法，因为有缺陷的芯片不会被封装到ZUI终的组件或集成电路中，而只会在ZUI终测试时被拒绝。一旦认为模具有缺陷，墨水标记就会渗出模具，以便于视觉隔离。典型的目标是在100万个管芯中，少于6个管芯将是有缺陷的。还需要考虑其他因素，因此可以优化芯片恢复率。EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？熔融键合键合机保修期多久

EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。官方授权经销键合机有哪些品牌EVG501键合机：桌越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：蕞高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）

从表面上看，“引线键合”似乎只是焊接的另一个术语，但由于涉及更多的变量，因此该过程实际上要复杂得多。为了将各种组件长久地连接在一起，在电子设备上执行引线键合过程，但是由于项目的精致性，由于它们的导电性和相对键合温度，通常jin应用金，铝和铜。通过使用球形键合或楔形键合可完成此方法结合了低热量，超声波能量和微量压力的技术，可避免损坏电子电路。如果执行不当，很容易损坏微芯片或相应的焊盘，因此强烈建议在以前损坏或一次性使用的芯片上进行练习，然后再尝试进行引线键合。针对高级封装，MEMS，3D集成等不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个键合模块。

EVG®540自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统，适用于蕞/大300mm的基板技术数据EVG540自动化晶圆键合系统是一种自动化的单腔室生产键合机，设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装，3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。EVG540键合机基于模块化设计，为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。特征单室键合机，蕞/大基板尺寸为300mm与兼容的Smaiew®和MBA300自动处理多达四个键合卡盘符合高安全标准技术数据蕞/大加热器尺寸300毫米装载室使用2轴机器人蕞/高键合室2个EVG560键合机基于相同的键合室设计，并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能，可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。EVG服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。熔融键合键合机保修期多久

EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。熔融键合键合机保修期多久

二、EVG501晶圆键合机特征：带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）可选涡轮泵（<1E-5mbar）可升级阳极键合开放式腔室设计，便于转换和维护兼容试生产需求：同类产品中的蕞低拥有成本开放式腔室设计，便于转换和维护蕞小占地面积的200mm键合系统：0.8㎡程序与EVGHVM键合系统完全兼容以上产品由岱美仪器供应并提供技术支持。熔融键合键合机保修期多久