EVG301键合机技术支持

临时键合系统：临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3DIC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到充分体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。EVG301键合机技术支持

完美的多用户概念（无限数量的用户帐户，各种访问权限，不同的用户界面语言） 桌面系统设计，占用空间蕞小 支持红外对准过程 EVG®610BA键合机技术数据 常规系统配置 桌面 系统机架：可选 隔振：被动 对准方法 背面对准：±2µm3σ 透明对准：±1µm3σ 红外校准：选件 对准阶段 精密千分尺：手动 可选：电动千分尺 楔形补偿：自动 基板/晶圆参数 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 可选的 处理系统 标准：2个卡带站 可选：蕞多5个站ComBond键合机三维芯片应用EVG键合机顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合适用于各种熔融/分子晶圆键合应用生产系统可在高通量，高产量环境中运行盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）无污染的背面处理超音速和/或刷子清洁机械平整或缺口对准的预键合先进的远程诊断技术数据：晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自动盒带到盒带操作预键合室对准类型：平面到平面或凹口到凹口对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1°结合力：ZUI高5N键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件）

从表面上看，“引线键合”似乎只是焊接的另一个术语，但由于涉及更多的变量，因此该过程实际上要复杂得多。为了将各种组件长久地连接在一起，在电子设备上执行引线键合过程，但是由于项目的精致性，由于它们的导电性和相对键合温度，通常jin应用金，铝和铜。通过使用球形键合或楔形键合可完成此方法结合了低热量，超声波能量和微量压力的技术，可避免损坏电子电路。如果执行不当，很容易损坏微芯片或相应的焊盘，因此强烈建议在以前损坏或一次性使用的芯片上进行练习，然后再尝试进行引线键合。EVG键合机晶圆键合类型如下：阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合。

EVG®510晶圆键合机系统：用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容。特色：EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学、研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。根据键合机型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圆。山西EVG850 DB键合机

EVG键合机晶圆键合类型有：阳极键合、瞬间液相键合、共熔键合、黏合剂键合、热压键合等多类型。EVG301键合机技术支持

根据型号和加热器尺寸，EVG500系列键合机可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发，并且可以通过简单的方法进行大批量生产，因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独力温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。EVG301键合机技术支持