上海光刻机有哪些应用
HERCULES光刻轨道系统技术数据:对准方式:上侧对准:≤±0.5µm;底侧对准:≤±1,0µm;红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能:手动对准;自动对准;动态对准。对准偏移校正:自动交叉校正/手动交叉校正;大间隙对准。工业自动化功能:盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,弯曲,翘曲,边缘晶圆处理曝光源:汞光源/紫外线LED光源曝光设定:真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿:全自动软件控制;非接触式曝光选项:间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统:Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR实时远程访问,诊断和故障排除EVG已经与研究机构合作超过35年,能深入了解他们的独特需求。上海光刻机有哪些应用
EVG®101--先进的光刻胶处理系统主要应用:研发和小规模生产中的单晶圆光刻胶加工EVG101光刻胶处理系统在单腔设计中执行研发类型的工艺,与EVG的自动化系统完全兼容。EVG101光刻胶处理机支持蕞大300mm的晶圆,并可配置用于旋涂或喷涂以及显影应用。通过EVG先进的OmniSpray涂层技术,在互连技术的3D结构晶圆上获得了光致光刻胶或聚合物的保形层。这确保了珍贵的高粘度光刻胶或聚合物的材料消耗降低,同时提高了均匀性和光刻胶铺展选择。这大达地节省了用户的成本。辽宁光刻机技术支持HERCULES的桥接工具系统可对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理。
EVG的掩模对准系统含有:EVG610;EVG620NT半自动/全自动掩模对准系统;EVG6200NT半自动/全自动掩模对准系统;IQAligner自动掩模对准系统;IQAlignerNT自动掩模对准系统;【EVG®610掩模对准系统】EVG®610是一个紧凑的和多用途R&d系统,可以处理小基板片和高达200毫米的晶片。EVG®610技术数据:EVG610支持多种标准光刻工艺,例如真空,硬,软和接近曝光模式,并可选择背面对准功能。此外,该系统还提供其他功能,包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速的处理和重新安装工具,可满足用户需求的变化,转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念可以适应从初学者到**级别的所有需求,因此使其非常适合大学和研发应用。
HERCULES光刻轨道系统特征:生产平台以蕞小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势;多功能平台支持各种形状,尺寸,高度变形的模具晶片甚至托盘的全自动处理;高达52,000cP的涂层可制造高度高达300微米的超厚光刻胶特征;CoverSpinTM旋转盖可降低光刻胶消耗并优化光刻胶涂层的均匀性;OmniSpray®涂覆用于高地形表面的优化的涂层;纳流®涂布,并通过结构的保护;自动面膜处理和存储;光学边缘曝光和/或溶剂清洁以去除边缘颗粒;使用桥接工具系统对多种尺寸的晶圆进行易碎,薄或翘曲的晶圆处理;返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统;多用户的概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)。EVG的CoverSpin TM旋转盖可降低光刻胶消耗,并提高光刻胶涂层的均匀性。
EVG光刻机简介:EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统,可以在顶部和双面光刻,对准晶圆键合和纳米压印光刻技术方面开创并建立了行业标准。EVG通过不断开发掩模对准器来为这些领域做出贡献,以增强蕞重要的光刻技术。EVG的掩模对准目标是容纳高达300mm的不同的尺寸,形状和厚度的晶圆和基片,同时为高级应用提供高科技含量的有效解决方案,并为研发提供充分的灵活可选性。EVG光刻机的掩模对准器和工艺能力经过现场验证,安装并完美集成在全球各地的用户系统中,可在众多应用场景中找到,包括高级封装,化合物半导体,功率器件,LED,传感器和MEMS。光刻机是一种用于制造集成电路和其他微纳米器件的关键设备。北京光刻机LED应用
EVG在要求严苛的应用中积累了多年的光刻胶旋涂和喷涂经验。上海光刻机有哪些应用
光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。上海光刻机有哪些应用
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