掩模对准纳米压印样机试用

EVG®770特征：微透镜用于晶片级光学器件的高效率制造主下降到纳米结构为SmartNIL®简单实施不同种类的大师可变抗蚀剂分配模式分配，压印和脱模过程中的实时图像用于压印和脱模的原位力控制可选的光学楔形误差补偿可选的自动盒带间处理EVG®770技术数据：晶圆直径（基板尺寸）：100至300毫米解析度：≤50nm（分辨率取决于模板和工艺）支持流程：柔软的UV-NIL曝光源：大功率LED（i线）>100mW/cm²对准：顶侧显微镜，用于实时重叠校准≤±500nm和精细校准≤±300nm手个印刷模具到模具的放置精度：≤1微米有效印记区域：长达50x50毫米自动分离：支持的前处理：涂层：液滴分配（可选）。SmartNIL集成多次使用的软标记处理功能，并具有显着的拥有成本的优势，同时保留可扩展性和易于维护的特点。掩模对准纳米压印样机试用

IQAligner®：用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印系统■用于光学元件的微成型应用■用于全场纳米压印应用■三个独力控制的Z轴，用于控制压印光刻胶的总厚度变化（TTV），并在压模和基材之间实现出色的楔形补偿■粘合对准和紫外线粘合功能紫外线压印_紫外线固化印章防紫外线基材附加印记压印纳米结构分离印记用紫外线可固化的光刻胶旋涂或滴涂基材。随后，将压模压入光刻胶并在仍然接触的情况下通过UV光交联。µ-接触印刷软印章基板上的材料领取物料，物料转移，删除印章芯片纳米压印用途是什么EVG的EVG ® 620 NT是智能NIL ® UV纳米压印光刻系统。

EVG®510HE是EVG500系列的热压印系统。

EVGroup的一系列高精度热压印系统基于该公司市场领仙的晶圆键合技术。出色的压力和温度控制以及大面积的均匀性可实现高精度的压印。热压印是一种经济高效且灵活的制造技术，对于尺寸低至50nm的特征，其复制精度非常高。该系统非常适合将复杂的微结构和纳米结构以及高纵横比的特征压印到各种聚合物基材或旋涂聚合物中。压模与基板对准的组合可将热压纹与预处理的基板结构对准。这个系列包含的型号有：EVG®510HE，EVG®520HE。

   具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。HERCULES ® NIL是完全集成SmartNIL ®的 UV-NIL紫外光纳米压印系统。

EVG®7200LA特征：专有SmartNIL®技术，提供了无人能比的印迹形大面积经过验证的技术，具有出色的复制保真度和均匀性多次使用的聚合物工作印模技术可延长母版使用寿命并节省大量成本强大且精确可控的处理与所有市售的压印材料兼容EVG®7200LA技术数据：晶圆直径（基板尺寸）：直径200毫米（蕞大Gen3）（550x650毫米）解析度：40nm-10µm（分辨率取决于模板和工艺）支持流程：SmartNIL®曝光源：大功率窄带（>400mW/cm²）对准：可选的光学对准：≤±15µm自动分离：支持的迷你环境和气候控制：可选的工作印章制作：支持的EVG ® 520 HE是热压印系统。衬底纳米压印推荐型号

EVG ® 770是分步重复纳米压印光刻系统，使用分步重复纳米压印光刻技术，可进行有效的母版制作。掩模对准纳米压印样机试用

EVG®520HE特征：用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印和纳米压印应用自动化压花工艺EVG专有的独力对准工艺，用于光学对准的压印和压印气动压花选项软件控制的流程执行EVG®520HE技术数据加热器尺寸：150毫米，200毫米蕞大基板尺寸：150毫米，200毫米蕞小基板尺寸：单芯片，100毫米蕞大接触力：10、20、60、100kN最高温度：标准：350°C；可选：550°C粘合卡盘系统/对准系统150毫米加热器：EVG®610，EVG®620，EVG®6200200毫米加热器：EVG®6200，MBA300，的SmartView®NT真空：标准：0.1毫巴可选：0.00001mbar掩模对准纳米压印样机试用

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