上海高校膜厚仪

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业,而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。F30-UV测厚范围：3nm-40µm；波长：190-1100nm。上海高校膜厚仪

FSM膜厚仪简单介绍：FSM128厚度以及TSV和翘曲变形测试设备:美国FrontierSemiconductor(FSM)成立于1988年，总部位于圣何塞，多年来为半导体行业等高新行业提供各式精密的测量设备，客户遍布全世界,主要产品包括:光学测量设备:三维轮廓仪、拉曼光谱、薄膜应力测量设备、红外干涉厚度测量设备、电学测量设备:高温四探针测量设备、非接触式片电阻及漏电流测量设备、金属污染分析、等效氧化层厚度分析(EOT)。请访问我们的中文官网了解更多的信息。芯片膜厚仪质保期多久产品名称：红外干涉厚度测量设备。

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍：VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phasesheartechnology）设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...

平台和平台附件标准和砖用平台。CS-1可升级接触式SS-3样品台，可测波长范围190-1700nmSS-36“×6”样品平台，F20系统的标准配置。可调节镜头高度，103mm进深。适用所有波长范围。SS-3-88“×8”样品平台。可调节镜头高度，139mm进深。适用所有波长范围。SS-3-24F20的24“×24”样品平台。可调节镜头高度，550mm进深。适用所有波长范围。SS-56"x6"吋样品台，具有可调整焦距的反射光学配件，需搭配具有APC接头的光纤，全波长范围使用样品压重-SS-3-50样品压重SS-3平台,50mmx50mm样品压重-SS-3-110样品压重SS-3平台,110mmx110mm产品型号：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。

备用光源：LAMP-TH1-5PAK：F10、F20、F30、F40、F50、和F60系统的非紫外光源。5个/盒。1200小时平均无故障。LAMP-TH：F42F42系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-THF60：F60系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-THF80：F80系统的光源。1000小时平均无故障。LAMP-D2-L10290：L10290氘光源。2007年到2014年F20-UV的使用者。LAMP-TH-L10290：L10290钨卤素光源。2007年到2014年F20-UV的使用者。LAMP-D2-LS和DT2：LS和DT2光源需更换氘灯,而卤素灯光源需更换使用LAMP-TH1-5PAK.可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层独力薄膜。 在某些情况下，能够测量到十几层。联电膜厚仪用途是什么

F30样品层:分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。上海高校膜厚仪

F3-sX系列：F3-sX系列能测量半导体与介电层薄膜厚度到3毫米,而这种较厚的薄膜与较薄的薄膜相比往往粗糙且均匀度较为不佳波长选配F3-sX系列使用近红外光来测量薄膜厚度，即使有许多肉眼看来不透光(例如半导体)。F3-s980是波长为980奈米的版本，是为了针对成本敏锐的应用而设计,F3-s1310是针对重掺杂硅片的蕞jia化设计,F3-s1550则是为了蕞厚的薄膜设计。附件附件包含自动化测绘平台，一个影像镜头可看到量测点的位置以及可选配可见光波长的功能使厚度测量能力蕞薄至15奈米。上海高校膜厚仪

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