芯片轮廓仪特点

时间:2022年11月21日 来源:

白光干涉轮廓仪对比激光共聚焦轮廓仪白光干涉3D显微镜:干涉面成像,多层垂直扫描蕞好高度测量精度:<1nm高度精度不受物镜影响性价比好激光共聚焦3D显微镜:点扫描合成面成像,多层垂直扫描Keyence(日本)蕞好高度测量精度:~10nm高度精度由物镜决定,1um精度@10倍90万-130万三维光学轮廓仪采用白光轴向色差原理(性能优于白光干涉轮廓仪与激光干涉轮廓仪)对样品表面进行快速、重复性高、高分辨率的三维测量,测量范围可从纳米级粗糙度到毫米级的表面形貌,台阶高度,给MEMS、半导体材料、太阳能电池、医疗工程、制药、生物材料,光学元件、陶瓷和先进材料的研发和生产提供了一个精确的、价格合理的计量方案。(来自网络)白光干涉系统基于无限远显微镜系统,通过干涉物镜产生干涉条纹,使基本的光学显微镜系统变为白光干涉仪。芯片轮廓仪特点

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NanoX-2000/3000系列3D光学干涉轮廓仪建立在移相干涉测量(PSI)、白光垂直扫描干涉测量(VSI)和单色光垂直扫描干涉测量(CSI)等技术的基础上,以其纳米级测量准确度和重复性(稳定性)定量地反映出被测件的表面粗糙度、表面轮廓、台阶高度、关键部位的尺寸及其形貌特征等。广泛应用于集成电路制造、MEMS、航空航天、精密加工、表面工程技术、材料、太阳能电池技术等领域。使用范围广:兼容多种测量和观察需求保护性:非接触式光学轮廓仪耐用性更强,使用无损可操作性:一键式操作,操作更简单,更方便台积电轮廓仪试用摈弃传统检测方法耗时耗力,精确度低的缺点,大达提高加工效率。

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NanoX-系列产品PCB测量应用测试案例测量种类◼基板ASoldMask3D形貌、尺寸◼基板ASoldMask粗糙度◼基板A绿油区域3D形貌◼基板A绿油区域Pad粗糙度◼基板A绿油区域粗糙度◼基板A绿油区域pad宽度◼基板ATrace3D形貌和尺寸◼基板B背面PadNanoX-8000系统主要性能▪菜单式系统设置,一键式操作,自动数据存储▪一键式系统校准▪支持连接MES系统,数据可导入SPC▪具备异常报警,急停等功能,报警信息可储存▪MTBF≥1500hrs▪产能:45s/点(移动+聚焦+测量)(扫描范围50um)➢具备Globalalignment&Unitalignment➢自动聚焦范围:±0.3mm➢XY运动速度蕞快

1.3.培训计划在完成系统布线并开始设备安装后,即向甲方和业主介绍整个系统的概况及性能、特点、设备布置情况和相互之间的关系等,让甲方和业主对整个系统有一个权面的认识。在整个系统验收前后,安排有关人员在进行培训。1.4.培训形式公司指派技术人员向相关人员讲解系统的原理、功能、操作及维修保养要点;向受训学员提供和解释有关设计文件及图纸等资料,使学员对系统的各个方面都能熟练掌握;针对系统的具体操作一一指导,使相关人员掌握技术要领;对学员提出的问题进行详细解答;每个共焦图像是通过样品的形貌的水平切片,在不同的焦点高度捕获图像产生这样的图像的堆叠。

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   蕞大视场Thefilm3D以10倍物镜优异地提供更寛广的2毫米视野,其数位变焦功能有助于缓解不同应用时切换多个物镜的需要,更进一步减少总体成本。手动式物镜转盘能一次搭载四组物镜,能满足需要多种倍率物镜交替使用的测量应用。索取技术资料索取报价性能规格厚度范围,WSI50nm-10mm厚度范围,PSI0-3μm樣品反射率範圍-100 %电脑要求机械规格Z范围100mmPiezo(压电)范围500μmXY平台类型手动或自动XY平台范围100mmx100mm相机2592x1944(5百万像素)系统尺寸,宽x深x高300mmx300mmx550mm系统重量15kg物镜1(NikonCFICEpiPlan)放大倍率5X10X20X50X100X视场xmmxmmxmmxmmxmm采样空间2μmμmμmμmμm1分别出售2样本上之像素大小常见的选购配件:urionNano30主动式防震台4微米,2微米,和100纳米多台阶高度标准。但是在共焦图像中,通过多珍孔盘的操作滤除模糊细节(未聚焦),只有来自聚焦平面的光到达CCD相机。江苏轮廓仪技术原理

产能 : 45s/点 (移动 + 聚焦 + 测量)(扫描范围 50um)。芯片轮廓仪特点

公司技术团队由一群仪器仪表领域内具有丰富的经验的工程师组成。业务范围覆盖至半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪等。仪器仪表目前国内很多高阶产品仍主要依赖于进口,就进来的新品来看,国外产品多为高精尖产品,国内虽然也有新技术和新产品的出现,但是主要仍出现在温湿度等低端产品。所以替代进口空间大,前景广阔。我国仪器仪表行业发展速度较快,但高阶产品供给能力依然欠缺,随时面临被断供的风险。系列政策出台,助力本土企业突围。政策助力对推动经济发展、促进相关行业技术升级、打破国外半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪垄断、提高半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪国产化率及国产替代等方面具有重要战略意义,近年来我国密集出台涉及仪器仪表行业及相关应用领域的产业政策,在政策支持下,我国本土企业有望突出重围。芯片轮廓仪特点

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