高速测距CMOS图像传感器代理商

AR0835HS图像传感器的其他典型参数值：

●二次抽样模式:X-Bin2。Skip:2x,4x;Y-Sum2。跳跃:2x,4x,8x

●输出数据深度:10位Raw,10-8位A-Law,8/6位DPCM

●模拟增益:1x,2x,3x,4x,6x,8x

●高质量的拜耳标量:可调缩放到1/6倍缩放

●温度传感器:10位，单实例芯片，双线串行I/F控制

●VCMAF驱动:8位分辨率与转换率控制

●3d支持:帧率和曝光同步

●电源电压:模拟2.5-3.1V(2.8V标称)

●数字1.14--1.3V(1.2V的名义)

●像素2.5--3.1V(2.8V的名义)

●I/O1.7--1.9V(1.8V的名义)或2.5--3.1V(2.8V的名义)

●HiSPi/MIPI1.14--1.3V(1.2V的名义)

●OTPM程序电压:6.5V

●功率消耗:典型的25C时420兆瓦，8M/46fps和6M/60fps

●响应率:0.6V/lux-sec

●NRMAX:36分贝

●动态范围:64dB运行

●温度范围(atjunction)-TJ:-30℃到+70℃ CMOS图像传感器的自适应曝光控制使其能够根据场景亮度自动调整曝光时间。高速测距CMOS图像传感器代理商

    ICX205AL、ICX274AQ、ICX639BK等深圳市桑尼威尔电子有限公司的CMOS图像传感器，凭借其优良的性能和稳定的品质，受到了广的认可和好评。ICX205AL CMOS图像传感器的高灵敏度和低噪声特性，使其在夜间监控和安防领域具有明显优势。ICX274AQ CMOS图像传感器的高速响应和准确的色彩还原能力，使其在医疗影像领域备受青睐。ICX639BK CMOS图像传感器的优良光学性能和高质量图像输出，满足了数字相机和工业视觉设备的高要求。这些传感器具有高灵敏度、低噪声和优良的动态范围，能够在各种光线条件下捕捉准确、清晰的图像，为用户带来优良的拍摄体验。无论是在安防监控、医疗影像还是工业视觉领域，ICX系列传感器都能够满足用户对图像质量和性能的高要求，成为各行业的理想选择之一。ICX408ALCMOS图像传感器桑尼威尔的CMOS图像传感器支持多种数据格式，如JPEG、PNG和BMP等。

    ICX639BKA图像传感器具有一系列突出的特性，使其成为一款优良的图像采集解决方案。首先，它拥有高灵敏度，能够在不同光线条件下捕捉细节丰富的图像，为用户提供清晰、准确的视觉体验。同时，高分辨率和低暗电流的特点使得ICX639BKA能够在保持图像质量的同时降低能耗，符合节能环保的趋势。此外，该传感器还具备优良的anti-blooming特点，能够有效抑制图像中的过曝现象，保证图像细节的完整性和真实性。而采用了Ye,Cy,Mg,G互补色镶嵌片滤光片的设计，使得ICX639BKA能够还原真实的色彩，呈现出更加生动、自然的图像效果。

    OV13850是一款功能强大的图像传感器，具有多项特性，适用于各种高清图像和视频采集应用。首先，它具有闪光灯输出控制功能，可以有效控制闪光灯的使用，确保拍摄效果更加清晰和自然。该传感器支持10位RAWRGB输出格式，能够提供更加丰富和准确的色彩信息，从而保证图像质量。同时，它支持多种图像大小，包括13.2MP、10MP、4K2K、EIS1080P、EIS720P等，满足不同应用场景的需求。OV13850还支持2×2Binning技术，可以将相邻像素进行合并，提高图像的亮度和对比度，适用于低光条件下的拍摄。CMOS图像传感器高集成度使得在减少系统复杂性的同时提高了性能。

    KA1-02050、OV13850等深圳市桑尼威尔电子有限公司的CMOS图像传感器，凭借其先进的技术和优良的性能，成为智能手机、车载摄像头等设备的理想选择之一。这些传感器具有小尺寸、低功耗和高集成度的特点，能够在有限的空间内实现出色的图像捕捉能力，为用户提供清晰、细腻的拍摄效果。KA1-02050 CMOS图像传感器的小尺寸和低功耗设计，使其成为智能手机和便携设备的理想选择。OV13850 CMOS图像传感器的高集成度和优良的图像处理能力，为智能交通领域带来了更多创新应用。无论是在移动通信领域还是智能交通领域，KA1-02050、OV13850都能够满足用户对图像质量和性能的高要求，成为各种应用场景的理想选择。桑尼威尔的CMOS传感器具有自动曝光功能，使得拍摄画面更加自然。索尼 IMX178LQJCMOS图像传感器代理商

CMOS图像传感器具有可编程的控制单元，方便用户进行灵活操作。高速测距CMOS图像传感器代理商

KAI-02050图像传感器具有一系列突出的特性，使其成为一款优良的图像采集解决方案。

读取噪音:(f=40mhz)12e?rms；

电流光电二极管/VCCD:7/100e?/s；

暗电流倍增温度光电二极管/VCCD：7℃/9℃；

动态范围:64dB；

电荷转移效率:0.999999；

盛开的抑制:比：300X；

涂片:-100分贝；

图像滞后:<10个电子；

**大像素时钟速度:40mhz；

**大帧速率四/双/单输出:68/34/18fps；

封装:68针PGA/64针CLCC；

；盖板玻璃:AR镀膜，双面或透明玻璃；

；注:除特别说明外，所有参数均在T=40℃下指定。 高速测距CMOS图像传感器代理商

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