合肥高效硅异质结PVD

异质结电池工艺 1.清洗制绒。通过腐蚀去除表面损伤层，并且在表面进行制绒，以形成绒面结构达到陷光效果，减少反射损失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉积。通过CVD方式在正面/背面分别沉积5~10nm的本征a-Si:H，作为钝化层，然后再沉积掺杂层；3.正面/背面TCO沉积。通过PVD在钝化层上面进行TCO薄膜沉积；4.栅线电极。通过丝网印刷进行栅线电极制作；5.烘烤(退火)。通过丝网印刷进行正面栅线电极制作，然后通过低温烧结形成良好的接触；6.光注入。7.电池测试及分选。光伏异质结的应用领域不断扩大，包括但不限于家庭、商业、工业、农业等领域。合肥高效硅异质结PVD

异高效质结电池HJT是HeterojunctionTechnology的缩写，是一种N型单晶双面电池，具有工艺简单、发电量高、度电成本低的优势。异质结太阳能电池使用晶体硅片进行载流子传输和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅层进行钝化和结的形成。顶部电极由透明导电氧化物（TCO）层和金属网格组成。异质结硅太阳能电池已经吸引了很多人的注意，因为它们可以达到很高的转换效率，可达26.3%，由隆基团队对HJT极限效率进行更新为28.5%，同时使用低温度加工，通常整个过程低于200℃。低加工温度允许处理厚度小于100微米的硅晶圆，同时保持高产量。四川光伏异质结装备异质结电池技术升级让光伏行业规模持续扩大，设备国产化，成本继续降低，使HJT技术将更具有竞争力。

HJT电池所有制程的加工温度均低于250，避免了生产效率低而成本高的高温扩散制结的过程，而且低温工艺使得a-Si薄膜的光学带隙、沉积速率、吸收系数以及氢含量得到较精确的控制，也可避免因高温导致的热应力等不良影响。HJT电池转换效率高，拓展潜力大，工艺简单并且降本路线清晰，契合了光伏产业发展的规律，是有潜力的下一代电池技术。HJT电池为对称的双面结构，主要由 N 型单晶硅片衬底、正面和背面的本征/掺杂非晶硅薄膜层、双面的透明导电氧化薄膜(TCO) 层和金属电极构成。其中，本征非晶硅层起到表面钝化作用，P型掺杂非晶硅层为发射层，N 型掺杂非晶硅层起到背场作用。

光伏异质结是一种利用半导体材料的光电效应将太阳能转化为电能的技术。其效率是指将太阳能转化为电能的比例，通常用百分比表示。光伏异质结的效率受到多种因素的影响，包括材料的选择、结构设计、光谱响应、温度等。目前，光伏异质结的效率已经达到了较高水平。单晶硅太阳能电池的效率可以达到22%左右，而多晶硅太阳能电池的效率则在18%左右。此外，还有一些新型材料的光伏异质结，如钙钛矿太阳能电池、有机太阳能电池等，其效率也在不断提高，已经达到了20%以上。虽然光伏异质结的效率已经很高，但仍有提高的空间。未来，随着新材料、新技术的不断涌现，光伏异质结的效率有望进一步提高，从而更好地满足人们对清洁能源的需求。光伏异质结技术不断进步，已成为太阳能产业的重要发展方向。

异质结电池整线生产设备，l在扩散的过程中，pn结p区一侧出现负电荷区，n区一侧出现正电荷区，其形成空间电荷区，在空间内部形成内建电场，载流子做漂移运动，阻碍电子与空穴的扩散，达到平衡，能带停止相对移动，p区能带相对于n区上移，n区能带相对于p区下移，pn结的费米能级处处相等，即载流子的扩散电流和漂移电流相互抵消；pn结势垒区存在较强的内建电场（自n区指向p区），则p区的电子进入n区，n区的空穴进入p区，使p端电势升高，n端电势降低，在pn结两端产生光生电动势，即为PN结的光生伏特效应。同理，由于光照在PN结两端产生光生电动势，即在PN结两端加上正向偏压V，则产生正向电流IF，在PN结开路时，光生电流等于正向电流，PN结两端建立起稳定的电势差VOC，即光电池的开路电压，这就是光电池的基本原理。异质结电池主工艺之一：制绒清洗设备。深圳高效硅异质结无银

异质结电池能够提供更高的能量转换效率，有助于降低光伏发电的成本，提高电力系统的经济性。合肥高效硅异质结PVD

光伏异质结电池生产设备，异质结TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si异质结后，电池被用一个~80纳米的透明导电氧化物接触。~80纳米薄的透明导电氧化物（TCO）层和前面的金属网格。透明导电氧化物通常是掺有Sn的InO（ITO）或掺有Al的ZnO。通常，TCO也被用来在电池的背面形成一个介电镜。因此，为了理解和优化整个a-Si:H/c-Si太阳能电池，还必须考虑TCO对电池光电性能的影响。由于其高掺杂度，TCO的电子行为就像一个电荷载流子迁移率相当低的金属，而TCO/a-Si:H结的电子行为通常被假定为类似于金属-半导体结。  TCO的功函数对TCO/a-Si:H/c-Si结构中的带状排列以及电荷载流子在异质结上的传输起着重要作用。此外，TCO在大约10纳米薄的a-Si:H上的沉积通常采用溅射工艺；在此，应该考虑到在该溅射工艺中损坏脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工艺优化中必须考虑到。合肥高效硅异质结PVD