惠州半导体减薄用清洗剂配方技术

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    从而在玻璃侧部提供支撑效果，通过所述底支撑件43和所述侧支撑件44实现玻璃在所述玻璃加工治具4上的支撑稳定效果。较佳的，所述底支撑件43和所述侧支撑件44可均采用ptfe材质。较佳的，所述侧支撑件44设置为叉状型结构，即所述侧支撑件44包括两叉脚，所述玻璃侧边边缘设置于两所述叉脚间，两所述叉脚在一端连接，两所述叉脚间距离从连接端向非连接端的方向逐渐增大，两所述叉脚间的大距离大于玻璃的厚度，限制玻璃两对应侧部边缘的两所述侧支撑件44之间的水平距离大于玻璃两侧部边缘之间的水平距离，即当玻璃通过两侧的所述侧支撑件44进行支撑限制时，玻璃的两侧部边缘在两所述叉脚间空间内均具有一定的调整间隙，从而在所述玻璃加工治具4在所述腔室31内往复运动，玻璃的两侧部边缘相较于所述侧支撑件44进行一定的位置移动，从而避免所述侧支撑件44长期于玻璃的同一位置接触紧贴。所述侧支撑件44的结构设置，使所述玻璃加工治具4在所述腔室31内沿直线往复运动的过程中，所述侧支撑件44与玻璃之间的接触点发生变化，从而避免所述侧支撑件44与玻璃之间的接触点因所述侧支撑件44的长期接触造成接触点无法被喷淋液喷淋，若接触点无法被喷淋，易造成玻璃的减薄缺陷。无锡中芯国际用减薄用清洗剂配方技术选择减薄用清洗剂，为您的加工过程保驾护航。

    本发明涉及玻璃减薄技术领域，具体涉及一种玻璃减薄设备。背景技术：随着便携式电子器件的发展，手机、平板等便携式电子器件越来越纤细化及薄型化，因此需要制造较薄的玻璃基板。为了制造较薄的玻璃基板，目前的采用的方法是浸泡式减薄法。用浸泡式减薄法减薄玻璃是将玻璃减薄液放入玻璃减薄设备的反应槽中，然后将玻璃放入玻璃减薄液中放置一定时间，使玻璃减薄液与玻璃反应，实现玻璃减薄。目前的浸泡式减薄法中，反应产物会悬浮于玻璃减薄液中，然后再粘附在玻璃上，造成不良品；并且，这种方法容易造成蚀刻不均，导致进行减薄后还需要进行抛光处理，提高了制备成本。鉴于上述缺陷，本发明创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本发明。技术实现要素：为解决上述技术缺陷，本发明采用的技术方案在于，提供一种玻璃减薄设备，包括蚀刻区，用于对竖直容纳在玻璃加工治具中的多个玻璃进行减薄处理；冲洗区，用于所述玻璃加工治具上的玻璃进行减薄前清洁和减薄后清洁；转换区，用于待减薄处理的所述玻璃加工治具加载到所述冲洗区中，并将减薄处理后的所述玻璃加工治具从所述冲洗区卸载到外部；制动组件。

    故所述控制器在从所述辅助厚度测量仪接收的玻璃厚度超出目标厚度的公差范围时，可再次控制所述玻璃加工治具4回到所述蚀刻区3，并且控制玻璃在所述蚀刻区3中再次经历减薄处理，以将玻璃处理为目标厚度。同时通过所述辅助厚度测量仪提前测量待经历减薄处理的玻璃厚度，可与所述主厚度测量仪32检测的初始厚度作对比，可判断所述主厚度测量仪32是否失灵，从而在后期根据所述辅助厚度测量仪的检测数据判断是否需再次进入所述腔室31。具体的，当所述辅助厚度测量仪检测厚度与所述主厚度测量仪32检测的初始检测厚度不在公差范围之内，可判断所述主厚度测量仪32失灵；在当后期减薄后所述辅助厚度测量仪的检测厚度不符合目标厚度时，可判断所述主厚度测量仪32非暂时失灵，所述控制器警报提醒并不再将所述玻璃加工治具4回撤至所述腔室31内，而将所述玻璃加工治具4从所述刻蚀区撤出，并等待所述主厚度测量仪32的维修完成。实施例七采用本发明所述玻璃减薄生产线的具体工艺流程为：s1，将竖直容纳玻璃的所述玻璃加工治具4放置在所述转换区1内，经所述冲洗区2减薄前清洗后转移至所述蚀刻区3，所述玻璃加工治具4在所述蚀刻区3中经历减薄处理；具体的，在所述蚀刻区3中进行减薄处理期间。去除多余涂层，减薄用清洗剂是您不可或缺的好帮手。

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    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。惠州半导体减薄用清洗剂配方技术