湖北高压可控硅模块

时间:2023年05月15日 来源:

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管开始应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。

在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗明显增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。

可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。

可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高电气有限公司品牌价值不断提升。湖北高压可控硅模块

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可控硅模块的作用和优势大家都知道,它的应用范围是非常广的,在不同设备上的使用方法也是不一样的,那么在整流电路中可控硅模块的使用方法是什么呢?下面正高来讲一下在整流电路中可控硅模块的使用方法。


在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,可控硅模块被触发导通。只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出Ug到来得早,可控硅模块导通的时间就早;Ug到来得晚,可控硅模块导通的时间就晚。 枣庄小功率可控硅模块供应商淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进,共创未来!

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实际上,可控硅模块元件的结温不容易直接测量,因此不能用它作为是否超温的判据。通过控制模块底板的温度(即壳温Tc)来控制结温是一种有效的方法。由于PN结的结温Tj和壳温Tc存在着一定的温度梯度,知道了壳温也就知道了结温,而相当高壳温Tc是限定的,由产品数据表给出。借助温控开关可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度(温度传感元件应置于模块底板温度相当高的位置)。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路,分别控制风机的开启或主回路的通断(停机),就可以有效地保证晶闸管模块在额定结温下正常工作。

  需要指出的是,温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度,易受环境、空气对流的影响,与模块和散热器的接触面上的温度Tc,还有一定的差别(大约低几度到十几度),因此其实际控制温度应低于规定的Tc值。用户可以根据实际情况和经验决定控制的温度。

选择可控硅模块的主要参数可控硅模块的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。


  所选可控硅模块应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的较大工作电压和较大工作电流1.5~2倍。


  可控硅模块的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各顶要求,不能偏高或偏低,否则会影响可控硅模块的正常工作。

上就是可控硅模块在不同设备中的种类选择,希望对您有所帮助。 淄博正高电气有限公司以质量求生存,以信誉求发展!

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可控硅模块在电子行业中应用以及发展比较广,它已经应用到了很多电子设备中,不同设备中使用的可控硅模块类型也是不同的,下面可控硅模块厂家就来来您了解一下。


1.选择可控硅模块的类型可控硅模块有多种类型,应根据应用电路的具体要求合理选用。


  若用于交直流电压控制、可控整流、交流调压、逆变电源、开关电源保护电路等,可选用普通可控硅模块。


  若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向可控硅模块。


  若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断可控硅模块。


  若用于锯齿波器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG可控硅模块。


  若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导可控硅模块。


  若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控可控硅模块。 淄博正高电气有限公司团结、创新、合作、共赢。湖北高压可控硅模块

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单向可控硅模块有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有一阳极A1(T1),二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。

单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。 湖北高压可控硅模块

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