天津小功率可控硅模块报价

可控硅模块采用陶瓷覆铜工艺，电流承载能力大，热循环负载次数是国标的进10倍，焊接工艺独特，绝缘强度高，导热性能好。可控硅模块的工作场所应干燥、无腐蚀性气体、通风、无尘，环境温度范围-25℃--45℃，下面为大家介绍可控硅模块的安装步骤：  1、散热器和风机按通风要求装配于机箱合适位置。散热器表面必须平整光洁。在模块导热底板与散热器表面均匀涂覆一层导热硅脂，然后用螺钉把模块固定于散热器上，四个螺钉用力要均等。

  2、用接线端头环带将铜线扎紧，浸锡，套上绝缘热缩管，用热风或热水加热收缩，导线截面积按电流密度<4A/mm2选取，禁止将铜线直接压接在可控硅模块电极上。

  3、 将接线端头平放于可控硅模块电极上用螺钉紧固，保持良好的平面压力接触。

  4、可控硅模块的电极易掀起折断，接线时应防止重力将电极拉起折断。 淄博正高电气有限公司愿与各界朋友携手共进，共创未来！天津小功率可控硅模块报价

只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出Ug到来得早，可控硅模块导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅模块导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。

这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅模块导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示可控硅模块在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。 黑龙江快恢复可控硅模块报价淄博正高电气有限公司尊崇团结、信誉、勤奋。

过电压会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。

可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。

过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。

导通角与模块输出电流的关系：山东可控硅模块的导通角与模块能输出的器强大电流有直接关系，模块的标称电流是强大导通角时能输出的强大电流。在小导通角（输出电压与输入电压比值很小）下输出的电流峰值很大，但电流的有效值很小（直流仪表一般显示平均值，交流仪表显示非正弦电流时比实际值小），但是输出电流的有效值很大，半导体器件的发热与有效值的平方成正比，会使模块严重发热甚至烧毁。因此，山东可控硅模块应选择在强大导通角的65％以上工作，及控制电压应在5V以上。淄博正高电气有限公司以发展求壮大，就一定会赢得更好的明天。

满足可控硅模块工作的必要条件：

（1）+12V直流电源：可控硅模块内部控制电路的工作电源。

①可控硅模块输出电压要求：+12V电源：12±0.5V ，纹波电压小于20mv 。

②可控硅模块输出电流要求：标称电流小于500安培产品：I+12V＞0.5A，标称电流大于500安培产品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模块控制信号：0～10V或4～20mA控制信号，用于对输出电压大小进行调整的控制信号，正极接CON10V或CON20mA，负极接GND1。

（3）可控硅模块供电电源和负载：供电电源一般为电网电源，电压460V以下的或者供电变压器，接可控硅模块的输入端子；负载为用电器，接可控硅模块的输出端子。 淄博正高电气有限公司在行业的影响力逐年提升。德州高压可控硅模块批发

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可控硅模块主要优点如下：

（1）采用进口方形可控硅支撑板，降低了可控硅模块的电压，功耗低，效率高，节能效果好。

（2）采用进口插入元件，保证晶闸管模块触发控制电路的可靠性。

（3）（DCB）陶瓷铜板采用独特的处理和特殊的焊接工艺，保证了晶闸管组件的焊接层无空腔，导热性好。

（4）导热绝缘包装材料具有优异的隔热防潮性能。

（5）触发控制电路、主电路和导热基板相互隔离，导热基板不带电，介电强度≥2500V，保证安全。

（6）通过输入0-10V直流控制信号，可以平滑地调节主电路的输出电压。

（7）可采用手动控制、仪表控制或微机控制。

（8）适用于电阻和电感负载。 天津小功率可控硅模块报价

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