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强型120A增强型150A增强型200A增强型300A增强型400A型号LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技术参数输入参数输入电压范围D3:3-36Vdc,D2:18-30Vdc,A3:90-430Vac,D1:4-8Vdc输入电流5mA-15mA反接保护有LED指示有输出参数额定工作电压4:48~480Vac,3:36-430Vac,2:24-265Vac,1:12-135Vac输出通态压降<2Vac断态峰值截止电压Vp4:≥1100Vpk,3:≥900Vpk,2:≥600Vpk,1:≥400Vpk浪涌电流(电网一周)800%**小负载电流100mA输出漏电流16A及以下<2mA,16A以上<12mA静态电压上升率dVs/dt100V/μs(普通型)、200V/μs(增强型)换向电压上升率dVc/dt10V/μs(普通型)、200V/μs(增强型)开启比较大响应时间10ms关断比较大延时10ms其它参数介质耐压(输入、输出及外壳间)≥2000Vac绝缘电阻(输入、输出及外壳间)>1000MΩ。正高电气企业文化:服务至上,追求超越,群策群力,共赴超越。稳压模块供应商
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产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路。不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺点。济南三相整流调压模块报价正高电气展望未来,信心百倍,追求高远。

500Vdc)比较大容抗10pf使用温度范围-30℃~+75℃电网频率47-63Hz㈥不同电流等级的固体继电器的外形㈦LSR的输入驱动电路在逻辑电路驱动时应尽可能采用低电平输出进行驱动,以保证有足够的带负载能力和尽可能低的零电平。下图为正确的灌电流驱动的电路图(一般适合于D3、D2型):D1型(4-8Vdc)通常与单相或三相LSR移相触发器配合使用。A3型(90-430Vac)为交流控制交流型,在90-430Vac极宽的范围内均能可靠触发继电器导通,且输入与输出没有相位要求:㈧LSR过压的保护:除LSR内部本身有RC吸收回路保护外,还可以采取并联金属氧化物压敏电阻(MOV),MOV面积大小决定吸收功率,MOV的厚度决定保护电压值。一般220V系列LSR可选取500V-600V的压敏电阻,380V系列SSR可选取800V-900V的压敏电阻,480V系列SSR可选取1000V-1100V的压敏电阻。㈨LSR的功率扩展:本公司生产的2A、8A无RC吸收回路的LSR可用于任何大电流等级的可控硅触发,功率扩展后仍具有过零特性或随机特性。功率扩展LSR的型号为:LSR-3P02E(D3/D2/D1/A3),LSR-3P08E(D3/D2/D1/A3)。
3)换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行保护等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。(4)阻容吸收回路通常过电压均具有较高的频率,因此常用电容作为吸收元件,为防止振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路比较好选用无感电容,接线应尽量短。。5)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。公司生产工艺得到了长足的发展,优良的品质使我们的产品****各地。
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简称过零型)和随机导通型(简称随机型);按输出开关元件分有双向可控硅输出型(普通型)和单向可控硅反并联型(增强型);按安装方式分有印刷线路板上用的针插式(自然冷却,不必带散热器)和固定在金属底板上的装置式(靠散热器冷却);另外输入端①直流恒流控制型(D3),电压为3-36Vdc宽范围,驱动电流为5-15mA;②直流抗干扰控制型(D2),电压为18-30Vdc;③串电阻限流型(D1),电压为4-8Vdc,**于随机型LSR;④交流控制型(A3),电压为90-430Vac宽范围。⑴过零型(Z型)与随机型(P型)LSR的区别由于触发信号方式不同,过零型和随机型之间的区别主要在于负载交流电流导通的条件不同。当输入端施加有效的控制信号时,随机型LSR负载输出端立即导通(速度为微秒级),而过零型LSR则要等到负载电压过零区域(约±15V)时才开启导通。当输入端撤消控制信号后,过零型和随机型LSR均在小于维持电流时关断,这两种类型的关断条件相同。虽然过零型LSR有可能造成比较大半个周期的延时,但却减少了对负载的冲击和产生的射频干扰,在负载上可以得到一个完整的正弦波形,成为理想的开关器件,在“单刀单掷”的开关场合中应用**为。随机型LSR的特点是反应速度快。正高电气以快的速度提供好的产品质量和好的价格及完善的售后服务。济南三相整流调压模块报价
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压接式和焊接式可控硅模块有哪些区别?可控硅模块属于一种使用模块封装形式,拥有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,这种可控硅模块的体积非常的小,结构也十分的紧凑,对于维修与安装都有很大的作用,可控硅模块的类型非常的多,比方说压接式可控硅模块、焊接式可控硅模块等,很多人不是很清楚两者之间的差异,下面详细的进行区分一下。①从电流方面来讲,焊接式可控硅模块可以做到160A电流,同时压接式模块的电流就能够达到1200A,这就是讲低于160A的模块,不只是有焊接式的,同时也有压接式的。可控硅模块②从外形方面来讲,焊接式的可控硅模块远远没有压接式的外形比较好,压接式的属于一体成型,技术十分的标准,焊接式的局部地区可能有焊接的痕迹,但是在使用的时候是没有任何的影响的。③众所周知,压接式可控硅模块的市场占有率是非常大的,有不少的公司都会使用压接式可控硅模块,这其中的原因可能使由于其外形十分的美观,除此之外从价格方面来讲,焊接式可控硅模块的成本远远要比压接式可控硅模块的成本低。我公司的电力半导体器件有:全系列功率模块(MTC,MFC,MDC,MDQ,MDS),普通整流管(ZP),快速整流管(ZK)。稳压模块供应商
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