东营高压晶闸管模块组件

晶闸管模块的工作原理

在晶闸管模块T的工作过程中，晶闸管模块的阳极A和阴极K与电源和负载相连，构成晶闸管模块的主电路。晶闸管模块的栅极G和阴极K与控制可控硅的装置相连，形成晶闸管模块的控制电路。

从晶闸管模块的内部分析工作过程：

晶闸管模块是一种四层三端器件。它有J1、J2和J3的三个pn结图。中间的NP可分为PNP型三极管和NPN型三极管两部分。

当晶闸管模块承载正向阳极电压时，为了制造晶闸管模块导体铜，承受反向电压的pn结J2必须失去其阻挡作用。每个晶体管的集电极电流同时是另一个晶体管的基极电流。因此，当有足够的栅极电流Ig流入时，两个复合晶体管电路会形成较强的正反馈，从而导致两个晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。 正高电气与广大客户携手并进，共创辉煌！东营高压晶闸管模块组件

    以提高测试电压和测试电流，使GTO可靠地导通。（2）要准确测量GTO的关断增益βoff，必须有**测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同，测量结果*供参考，或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如，逆导晶闸管的关断时间*几微秒，工作频率达几十千赫，优于快速晶闸管（FSCR）。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中，一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只，不仅使用方便，而且能简化电路设计。逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见，逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性，正向特性与普通晶闸管SCR相同，而反向特性与硅整流管的正向特性相同（*坐标位置不同）。逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司（RCA）生产的S3900MF，其外形见图1(c)。它采用TO-220封装，三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下：断态重复峰值电压VDRM：>。东营高压晶闸管模块组件正高电气是多层次的模式与管理模式。

    它可以用控制移相触发脉冲来方便地改变负载的交流工作电压，从而应用于精确地调温、调光等阻性负载及部分感性负载场合。⑵双向可控硅输出的普通型与单向可控硅反并联输出的增强型的区别在感性负载的场合，当LSR由通态关断时，由于电流、电压的相位不一致，将产生一个很大的电压上升率dv/dt（换向dv/dt）加在双向可控硅两端，如此值超过双向可控硅的换向dv/dt指标(典型值为10V/μs)则将导致延时关断，甚至失败。而单向可控硅为单极性工作状态，只受静态电压上升率dv/dt(典型值为100V/μs)影响，由两只单向可控硅反并联构成的增强型LSR比由一只双向可控硅构成的普通型LSR的换向dv/dt有了很大提高，因此在感性或容性负载场合宜选取增强型LSR。㈣继电器负载输出端电流等级及型号如下表：电流普通型2A普通型4A普通型8A普通型16A普通型25A普通型40A增强型15A增强型35A型号LSR-3Z02D3LSR-3Z02D2LSR-3Z02A3LSR-3P02D1-3Z04D3-3Z04D2-3Z04A3-3P04D1-3Z08D3-3Z08D2-3Z08A3-3P08D1-3Z16D3-3Z16D2-3Z16A3-3P16D1-3Z25D3-3Z25D2-3Z25A3-3P25D1-3Z40D3-3Z40D2-3Z40A3-3P40D1LSR-H3Z15D3LSR-H3Z15D2LSR-H3Z15A3LSR-H3P15D1-H3Z35D3-H3Z35D2-H3Z35A3-H3P35D1电流增强型50A增强型70A增强型90A。

    电力电子开关技术领域，尤其涉及一种立式晶闸管模块。背景技术：电力电子开关是指利用电子电路以及电力电子器件实现电路通断的运行单元,至少包括一个可控的电子驱动器件，如晶闸管、晶体管、场效应管、可控硅、继电器等。其中，现有的晶闸管*能够实现单路控制，不利于晶闸管所在电力系统的投切控制。因此，针对上述问题，有必要提出进一步的解决方案。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种立式晶闸管模块，以克服现有技术中存在的不足。为实现上述发明目的，本发明提供一种立式晶闸管模块，其包括：外壳、盖板、铜底板、形成于所述盖板上的接头、第二接头和第三接头、封装于所述外壳内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元；所述晶闸管单元包括：压块、门极压接式组件、导电片、第二导电片、瓷板，所述压块设置于所述门极压接式组件上，并通过所述门极压接式组件对所述导电片、第二导电片、瓷板施加压合作用力，所述导电片、第二导电片、瓷板依次设置于所述铜底板上；所述第二晶闸管单元包括：第二压块、第二门极压接式组件、第三导电片、钼片、银片、铝片，所述第二压块设置于所述第二门极压接式组件上。正高电气运用高科技，不断创新为企业经营发展的宗旨。

    它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，*当黑表笔接G极。正高电气竭诚为您服务，期待与您的合作，欢迎大家前来！济南稳流稳压模块批发

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    漏电流：指加一半标称直流电压时测得的流过压敏电阻的电流。由于压敏电阻的通流容量大，残压低，过电压能力强；平时漏电流小，放电后不会有续流，元件的标称电压等级多，便于用户选择；伏安特性是对称的，可用于交、直流或正负浪涌；因此用途较广。2、过电流保护由于半导体器件体积小、热容量小，特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件，结温必须受到严格的控制，否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时，热量来不及散发，使得结温迅速升高，**终将导致结层被烧坏。产生过电流的原因是多种多样的，例如，变流装置本身晶闸管损坏，触发电路发生故障，控制系统发生故障等，以及交流电源电压过高、过低或缺相，负载过载或短路，相邻设备故障影响等。晶闸管过电流保护方法**常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢，在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏；所以不能用来保护晶闸管。东营高压晶闸管模块组件

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