中国上海市国际先进陶瓷技术展览会
氧化铝陶瓷以Al2O3为主要成分,含有少量SiO2的陶瓷,又称高铝陶瓷。根据Al2O3含量不同分为75瓷(含75%Al2O3,又称刚玉-莫来石瓷)、95瓷和99瓷,后两者又称刚玉瓷。氧化铝陶瓷耐高温性能好,可使用到1950℃。具有良好的电绝缘性能及耐磨性。微晶刚玉的硬度极高(仅次于金刚石)。氧化铝陶瓷被用作耐火材料,如耐火砖、坩埚、热偶套管,淬火钢的切削刀具、金属拔丝模,内燃机的火花塞,火箭、导弹的导流罩及轴承等。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会(PMCHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEXCHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观!赋能前沿智造,智领行业未来,“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10日上海共创无限商机!中国上海市国际先进陶瓷技术展览会
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刻蚀技术是SiC器件研制的关键,刻蚀精度、损伤和表面残留物对器件性能至关重要。目前,SiC刻蚀多采用干法刻蚀,其中电感耦合等离子体(ICP)刻蚀因其低压高密度的特点,具有刻蚀速率高、器件损伤小、操作简单等優点,而广泛应用。此外,刻蚀中的掩膜材料、蚀刻选择、混合气体、侧壁控zhi、蚀刻速率和侧壁粗糙度等需针对SiC材料特性开发。刻蚀环节主要挑战包括实现更小尺寸器件结构、提高深宽比和形貌圆滑度,以及从浅沟槽向深沟槽的转变等。主流的SiCICP刻蚀设备厂商包括德国Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美国AMAT、英国牛津仪器、日本Samco及爱发科,及我国北方华创、中國电科48所、中微半导体、中科院微电子所、珠海恒格微电子、稷以科技等。北方华创在SiC器件领域具备完整的刻蚀解决方案,其SiC器件刻蚀机出货量的市占率较高。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!3月10日至12日华东区国际先进陶瓷技术展览会思想交流智慧碰撞,激发灵感创造契机,2025年3月10日中國國際先進陶瓷展,与您相聚上海,共襄行业盛会!
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“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结,主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度,经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行,此方法需要较高的烧结温度(超过1000℃)和较长的保温时间。如果烧结温度较低,则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔,材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞,此时材料的电性能较差;烧结温度过高,可能导致晶界的移动速度过快,出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为:陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温,立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比,两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化,在抑制晶界迁移(这将导致晶粒长大)的同时,保持晶界扩散(这是坯体致密化的动力)处于活跃状态,来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间,然后再在较高的温度下保温,后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间,此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。
碳化硅半导体属于高度技术密集型行业,具有较高的技术、人才、资金、资源和认证壁垒,高度依赖于技术及生产经验。受日益旺盛的需求影响,目前各路资本争相投资,碳化硅产业成为热门赛道。大量资本的涌入加剧了碳化硅的行业竞争。同时,全球碳化硅半导体行业市场集中度较高,市场份额主要被美国、欧洲、日本等國家和地区的企业占据,国内企业未来将面临國際先进企业和国内新进入者的双重竞争。若竞争过早进入白热化,会对大批初创科技型碳化硅企业的成长造成致命打击。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!赋能品质制造,探索万千可能。中國國際先進陶瓷展览会承载业界期许,2025年3月10-12日诚邀您莅临参观!
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在半导体制造领域,增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片,随着晶圆尺寸增加,边缘管芯(Die)数量占比缩小,晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算,一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片,是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍;边缘管芯占比下降到7%,大幅度提高晶圆利用率,将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!云集中外杰出供应商的中國國際先進陶瓷展览会!2025年3月10-12日,新之联伊丽斯诚邀您相聚上海!中国上海市国际先进陶瓷技术展览会
业界精英云集中國國際先進陶瓷展,为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日,我们在上海等您!中国上海市国际先进陶瓷技术展览会
碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一,展现了突出的性能优势,具有极高的产业价值,被当下业内专jia称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,是國家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率器件环节的价值分析,揭示碳化硅产业链的发展趋势以及面临的机遇与挑战。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会(PM CHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEX CHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!中国上海市国际先进陶瓷技术展览会