2025年3月10日至12日上海国际先进陶瓷技术论坛

在半导体制造领域，增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片，随着晶圆尺寸增加，边缘管芯（Die）数量占比缩小，晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算，一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍；边缘管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圆利用率，将进一步降低碳化硅芯片单位成本。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！诚邀您莅临参观！“2025中國‌國際先進陶瓷展”为行业精英提供学术研究与应用实践的融合平台，2025年3月10日上海见！2025年3月10日至12日上海国际先进陶瓷技术论坛

AlN有两个非常重要的性能值得注意：一个是高的热导率，一个是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生影响，只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的AlN基板。AlN生产技术国内像斯利通这样能大规模生产的少之又少，相对于Al2O3，AlN价格相对偏高许多，这个也是制约其发展的小瓶颈。不过随着经济的提升，技术的升级，这种瓶颈终会消失。综合以上原因，可以知道，氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能，在微电子、功率电子、混合微电子、功率模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！2025年3月10日-12日上海国际先进陶瓷博览会聚焦行业发展前沿，探索业界先進技术，“中國‌國際先進陶瓷展览会”：2025年3月10-12日上海世博展览馆！

“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一，展现了突出的性能优势，具有极高的产业价值，被当下业内称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，是國家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率器件环节的价值分析，揭示碳化硅产业链的发展趋势以及面临的机遇与挑战。五展联动孕育无限发展商机IACECHINA2025将与第17届中國‌國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！

碳化硅下游应用场景众多，包括新能源车、充电桩、光伏、储能、轨道交通、智能电网、航空航天等，而下游的需求放量情况会影响碳化硅的市场规模体量，比如新能源车的产销量、充电桩的配套数量、光伏的装机量等。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，价格有所下降，但碳化硅功率器件价格仍远高于硅基器件。下游应用领域需平衡碳化硅器件高价格与性能优势带来的综合成本，短期内将限制碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，大规模应用仍存挑战。若下游存在放量不及预期的情况，将对上游碳化硅企业研发、生产造成不利影响。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！中國‌國際先進陶瓷展览会将于2025年3月10-12日在上海隆重举办，行业人士齐聚一堂，共襄盛会！

碳化硅单晶材料按电学性能分导电型和半绝缘型，而导电型对应同质外延，半绝缘型对应异质外延。同质外延制成SBD（肖特基势垒二极管）、MOSFET（缩写为MOS，金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件，适用于电子电力领域如新能源汽车、轨道交通、智能电网、光伏发电等；在导电型SiC衬底上生长SiC外延层可制得SiC外延片，用于各类功率器件。异质外延制成HEMT（高电子迁徙率晶体管）等微波射频器件，适用于高频、高温环境如5G通讯、雷达、國‌防jun工等领域；在半绝缘型SiC衬底上生长GaN外延层可制得SiC基GaN外延片用于GaN射频器件。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！2025年3月10日，让我们相聚中國‌國際先進陶瓷展览会，共商共享，共创未来。探索先進制造的万千可能。2025年3月10日至12日上海国际先进陶瓷技术论坛

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在需要高功率的场景中，常将多颗SiC功率半导体封装到模块中，实现芯片互连和与其他电路的连接。SiC功率模块封装包括芯片、绝缘基板、散热基板等组件。按封装芯片类型，可分为混合模块和全SiC模块，前者是替换硅基IGBT中的二极管，后者全用SiC芯片，两者在效率、尺寸和成本上有差异；按拓扑方式，可分为三相模块、半桥模块等封装形式；按散热方式，可分为单面冷却和双面冷却；按封装外壳类型，可分为转模塑封结构和HPD（gao压聚乙烯塑料）框架结构。随着需求多样化，定制化模块逐渐流行。目前，SiC功率模块多沿用传统硅基IGBT封装结构，难以发挥SiC材料特性，面临可靠性和成本等挑战。“第十七届中國‌國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！2025年3月10日至12日上海国际先进陶瓷技术论坛