河南5000W瞬态抑制二极管应用

要减少TVS短路失效，首先应加强TVS制造工艺过程的控制，尤其是对烧焊、台面成型、碱腐蚀清洗、掺杂等工艺过程的控制，以减少或消除TVS的固有缺陷。例如:国际上采用先进的烧焊工艺已能将空洞面积控制在10%以下，采用离子注入掺杂能对掺杂过程进行更好的控制，这些都**提高了TVS的可靠性。其次，做到TVS的正确选型与安装，比较好对TVS进行降额使用，这样可使TVS承受的功率较小，使用可靠性**增加。此外，为使TVS发生短路失效时对被保护电子设备的影响降到比较低，通常可在TVS前串接一条与之匹配的保险丝。当瞬态脉冲能量超过 TVS 所能承受能量时会引起 TVS 器件过电应力损伤。河南5000W瞬态抑制二极管应用

瞬态电压抑制二极管（Transient Voltage Suppressor）简称TVS广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电子镇流 器、家用电器、仪器仪表（电度表）、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、数字照相机的保护、共模/差模保护、RF 耦合/IC 驱动接收保护、电机电磁波干扰抑制、声频/视频输入、传感器/变速 器、工控回路、继电器、天线，防雷模块，USB接口，HDMI接口，接触器噪音的抑制等各个领域。广西6600W瞬态抑制二极管应用SMB/DO-214AA封装的TVS有SMBJ、P6SMB、1.0SMB系列等。

实际产品中，**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us，如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢，这就需要看Spec中的另一个曲线图：通过上图可以查出，1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us，对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下，反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口，在共模时，浪涌发生器内阻为12欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口，在差模时，浪涌发生器内阻为2欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口，无论差模共模，浪涌发生器内阻为42欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出，一个TVS所能承受的比较大浪涌电压，不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等)，也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。

PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通，PN结加正向电压时导通，（1）PN结加正向电压时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。瞬态电压抑制器TVS可以在－55~+150℃之间工作。

8）DO-201封装：1.5KE系列（5000W）、LCE系列；9）R-6/P600封装：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；10）NA封装：蓝宝宝浪涌抑制器KA系列；DO-218AB封装：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；4）SMC/DO-214AB封装：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（5000W）。TVS的钳位时间对单极性TVS一般是1×10-12秒；对双极性TVS一般 是1×10-11 秒。江西5000W瞬态抑制二极管厂家

根据用途选用TVS 的极性及封装结构。河南5000W瞬态抑制二极管应用

反向击穿性PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。河南5000W瞬态抑制二极管应用

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